东京毅力科创株式会社凯蒂·吕特克-李获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利具有选择性芯轴形成的多重图案化获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115088057B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180013626.4，技术领域涉及：H10P76/40；该发明授权具有选择性芯轴形成的多重图案化是由凯蒂·吕特克-李;安热利克·雷利;本田正信设计研发完成，并于2021-01-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有选择性芯轴形成的多重图案化在说明书摘要公布了：一种形成器件的方法包括使用极紫外EUV光刻工艺在衬底上方形成图案化抗蚀剂层。该方法包括通过在该图案化抗蚀剂层上方选择性地沉积芯轴材料来在等离子体加工室中形成芯轴，该芯轴包括该图案化抗蚀剂层和该芯轴材料。
本发明授权具有选择性芯轴形成的多重图案化在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，该方法包括： 使用极紫外光刻工艺在衬底上方形成作为图案化抗蚀剂层的金属氧化物光刻胶膜；以及 在等离子体加工室中原位执行单个工艺配方，其中，所述单个工艺配方是通过改变等离子体化学物质来执行的，所述单个工艺配方包括： 通过在该图案化抗蚀剂层上方选择性地沉积作为芯轴材料的多孔硅来在该等离子体加工室中形成包括该图案化抗蚀剂层和该图案化抗蚀剂层上的该芯轴材料的芯轴，并且形成的芯轴的图案化抗蚀剂层的侧壁无所述芯轴材料，其中，选择性地沉积作为芯轴材料的所述多孔硅包括： 在该衬底上方沉积由该芯轴材料构成的芯轴材料层，相对于其上形成有所述金属氧化物光刻胶膜的材料的顶表面，该芯轴材料对沉积在所述金属氧化物光刻胶膜的顶表面上具有更大的选择性；以及 执行修整工艺以选择性地去除该芯轴材料层的与该衬底接触的部分，所述修整工艺包括各向异性和各向同性刻蚀的组合； 在该等离子体加工室中，在该芯轴的侧壁上形成多个间隔物；以及 在该等离子体加工室中，去除该芯轴，留下该多个间隔物。
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