应用材料公司尹炳勋获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利使用催化沉积的间隙填充方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115088064B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180013702.1，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权使用催化沉积的间隙填充方法是由尹炳勋;吴立其;李靖珠;吴凯;岑羲;雷伟;柳尚澔;赛沙德利·甘古利设计研发完成，并于2021-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用催化沉积的间隙填充方法在说明书摘要公布了：讨论了沉积金属膜的方法。金属膜形成在具有金属底部及电介质侧壁的特征的底部上。金属膜的形成包含：在将基板维持在沉积温度下的同时，暴露于金属前驱物及烷基卤化物催化剂。所述金属前驱物具有高于沉积温度的分解温度。所述烷基卤化物包含碳及卤素，且所述卤素包含溴或碘。
本发明授权使用催化沉积的间隙填充方法在权利要求书中公布了：1.一种形成无缝间隙填充的方法，所述方法包含以下步骤： 将第二金属膜沉积于基板上的特征中，以用所述第二金属膜部分地填充所述特征，所述特征包含底部及至少一个电介质侧壁，所述底部包含第一金属，所述第一金属包含第一金属材料，所述第一金属具有在所述特征中被暴露的第一金属表面，所述至少一个电介质侧壁具有在所述特征的外部的顶表面以及位于所述特征中的一个或多个电介质侧壁表面，所述第二金属膜包含第二金属材料，所述第二金属膜相对于位于所述特征中的所述一个或多个电介质侧壁表面直接地且选择性地形成于所述第一金属表面上，且所述第二金属膜具有低于所述至少一个电介质侧壁的所述顶表面的顶表面； 将衬垫沉积在所述第二金属膜上方的位于所述特征中的所述一个或多个电介质侧壁表面上； 利用所述第二金属材料填充所述特征，以覆盖所述衬垫及所述至少一个电介质侧壁的所述顶表面；以及 从所述至少一个电介质侧壁的所述顶表面移除所述第二金属膜及至少一些所述衬垫，并移除至少一些所述电介质，以形成无缝间隙填充。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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