国际商业机器公司康宗圣获国家专利权
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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利交错堆叠的垂直晶体半导体沟道获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115088084B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180014221.2，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权交错堆叠的垂直晶体半导体沟道是由康宗圣;李桃;A·拉曼;P·约瑟夫;I·塞沙德里;E·A·德西尔瓦设计研发完成，并于2021-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本交错堆叠的垂直晶体半导体沟道在说明书摘要公布了：一种半导体结构100包括具有多个垂直纳米线106的第一半导体沟道和具有多个垂直纳米线106的第二半导体沟道。第一半导体沟道和第二半导体沟道被配置为处于堆叠配置。第一半导体沟道的多个垂直纳米线106被配置为相对于第二半导体沟道的多个垂直纳米线106处于交替位置。
本发明授权交错堆叠的垂直晶体半导体沟道在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，所述半导体结构包括： 包括半导体材料的衬底； 包括多个垂直纳米线的第一半导体沟道，其中所述第一半导体沟道的每个垂直纳米线包括源自于所述半导体材料的第一半导体层、设置于所述第一半导体层上的第一绝缘层和设置于所述第一绝缘层上的第一氧化物层；以及 包括多个垂直纳米线的第二半导体沟道，其中所述第二半导体沟道的每个垂直纳米线包括设置于所述衬底上的第二氧化物层、设置于所述第二氧化物层上的第二绝缘层和源自于所述半导体材料并且设置于所述第二绝缘层上的第二半导体层； 其中所述第一半导体沟道和所述第二半导体沟道被配置为处于堆叠配置；并且 其中所述第一半导体沟道的所述多个垂直纳米线中的每一个被配置为相对于所述第二半导体沟道的所述多个垂直纳米线中的每一个处于交替位置。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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