国立大学法人九州大学;株式会社考拉科技S·D·A·桑达纳亚卡获国家专利权
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龙图腾网获悉国立大学法人九州大学;株式会社考拉科技申请的专利电流注入式有机半导体激光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115102034B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210882367.5，技术领域涉及：H01S5/12；该发明授权电流注入式有机半导体激光二极管是由S·D·A·桑达纳亚卡;松岛敏则;F·本切克;合志宪一;J-C·里贝里;安达千波矢;藤原隆设计研发完成，并于2018-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本电流注入式有机半导体激光二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电流注入式有机半导体激光二极管，其包括一对电极、光学谐振器结构及一个以上的包含由有机半导体组成的光放大层的有机层，所述光学谐振器结构具有凹槽被完全去除的光栅，或者具有在凹槽中露出电极的光栅。
本发明授权电流注入式有机半导体激光二极管在权利要求书中公布了：1.一种电流注入式有机半导体激光二极管，其包括： 一对电极、光学谐振器结构及一个以上的包含由有机半导体组成的光放大层的有机层， 所述电流注入式有机半导体激光二极管在电流注入期间，至少在所述光放大层的x,y平面的x方向上在激子密度的分布与谐振光模式的电场强度分布之间存在足够的重叠以发射激光，其中，y是有机发光层的厚度方向，x是垂直于y的方向， 其中，所述光学谐振器结构具有凹槽被完全去除的光栅，或者具有在凹槽中露出电极的光栅。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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