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龙图腾网获悉湘潭大学申请的专利一种放电模式可控的忆阻耦合离散神经元系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115130665B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210854998.6，技术领域涉及：G06N3/065；该发明授权一种放电模式可控的忆阻耦合离散神经元系统是由马铭磷;卢亚平设计研发完成，并于2022-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种放电模式可控的忆阻耦合离散神经元系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种放电模式可控的忆阻耦合离散神经元系统，包括三个延时器U1、U2、U3，不可变参数C2，可变参数C1、C3、C4、C5、C6，双曲正切模块T，平方模块S，乘法器M1、M2、M3，除法器D，加法器A1、A2、A3、A4、A5，三个输出X、Y、Z。将一个磁控忆阻器引入Rulkov离散神经元中，调节相应参数，系统表现出复杂的动力学行为。通过改变系统初始值及相应参数，系统出现了暂态混沌放电、暂态周期放电、间歇混沌放电、周期与混沌放电模式共存、放电模式转迁等现象，具有多稳态性。本次设计的放电模式可控的忆阻耦合离散神经元系统，对神经动力学、智能控制、仿生等领域及离散神经元的发展提供了新的思路，为医学实验中离散神经元的研究提供了理论指导，推动了忆阻器耦合离散神经元方向的非线性动力学的发展。

本发明授权一种放电模式可控的忆阻耦合离散神经元系统在权利要求书中公布了：1.一种放电模式可控的忆阻耦合离散神经元系统，包括三个延时器U1、U2、U3，不可变参数C2，可变参数C1、C3、C4、C5、C6，双曲正切模块T，平方模块S，乘法器M1、M2、M3，除法器D，加法器A1、A2、A3、A4、A5，三个输出X、Y、Z； 所述延时器UI的第二端与所述平方模块S的第一端、所述乘法器M1的第三端及所述加法器A2的“+”端、所述乘法器M3的第一端连接；所述可变参数C3与所述乘法器M3的第二端连接，所述乘法器M3的第三端与所述加法器A5的第一个“+”端连接；所述平方模块S的第二端与所述加法器A1的第二“+”端连接，所述不可变参数C2与所述加法器A1的第一个“+”端连接，所述加法器A1的第三端与所述除法器D的“÷”端连接，所述可变参数C1与所述除法器D的“×”端连接，所述除法器D的第三端与所述加法器A3的第一个“+”端连接；所述可变参数C4与所述乘法器M1的第一端连接，所述双曲正切模块T的第二端与所述乘法器M1的第二端连接，所述双曲正切模块T的第一端与所述加法器A5的第二个“+”端及所述延时器U3的第二端连接，所述乘法器M1的第四端与所述加法器A3的第二个“+”端连接；所述可变参数C5与所述加法器A2的“-”端连接，所述加法器A2的第三端与所述乘法器M2的第二端连接；所述可变参数C6与所述乘法器M2的第一端连接，所述乘法器M2的第三端与所述加法器A4的“-”端连接；所述延时器U2的第二端与所述加法器A4的“+”端及所述加法器A3的第三个“+”端连接；所述加法器A3的第四端与所述延时器U1的第一端连接，所述加法器A4的第三端与所述延时器U2的第一端连接，所述加法器A5的第三端与所述延时器U3的第一端连接； 磁控型离散忆阻器用如下方程描述 式中Wφn为忆导，i，v分别为直流电流、直流电压，fφn为忆阻器内部状态函数，α，β，γ为忆阻器参数； 将上述磁控忆阻器与Rulkov神经元进行耦合 其中，a，μ，σ是Rulkov神经元参数，0μ＜＜1，xn是膜电位势能，k为耦合系数，a和σ控制神经元放电状态，ε为系统参数。

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