三菱电机株式会社小西和也获国家专利权
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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132833B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210276732.8，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由小西和也;曾根田真也;西康一;新田哲也;古川彰彦设计研发完成，并于2022-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法，目的在于提供能够降低导通损耗的技术。半导体装置具有包含漂移层的半导体衬底和在半导体衬底设置的基极层、接触层及源极层。栅极部隔着第1栅极绝缘膜而设置于与接触层、源极层、基极层及漂移层接触的第1沟槽内。在栅极部设置有底部比侧部更远离基极层的凹部。第1绝缘部设置于第1沟槽内的栅极部的凹部内。
本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其具有： 半导体衬底，其具有上表面和下表面，该半导体衬底包含在所述上表面与所述下表面之间设置的第1导电型的漂移层； 第2导电型的基极层，其设置于所述半导体衬底中的所述漂移层的所述上表面侧； 第2导电型的接触层，其选择性地设置于所述半导体衬底中的所述漂移层或所述基极层的所述上表面侧，杂质浓度比所述基极层高； 第1导电型的源极层，其选择性地设置于所述半导体衬底中的所述基极层的所述上表面侧，杂质浓度比所述漂移层高； 栅极部，其隔着第1栅极绝缘膜而设置于与所述接触层、所述源极层、所述基极层及所述漂移层接触的第1沟槽内，与栅极电极电连接，所述栅极部设置有底部比侧部更远离所述基极层的凹部；以及 第1绝缘部，其设置于所述第1沟槽内的所述栅极部的所述凹部内， 所述栅极部包含： 第1栅极部分；以及 第2栅极部分，其在俯视观察时的所述第1沟槽的延伸方向上与所述第1栅极部分连接，与所述第1栅极部分相比向上方凸出，隔着所述第1栅极绝缘膜而与所述源极层相对，所述第2栅极部分与所述第1绝缘部在所述延伸方向上排列配置， 所述第1栅极部分包含所述栅极部的所述凹部的所述底部， 所述第2栅极部分包含所述栅极部的所述凹部的所述侧部。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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