原子能和替代能源委员会弗兰克·富尔内尔获国家专利权
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龙图腾网获悉原子能和替代能源委员会申请的专利通过直接键合将芯片键合到基板的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115136287B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080096933.9，技术领域涉及：H10W80/00；该发明授权通过直接键合将芯片键合到基板的方法是由弗兰克·富尔内尔;卢瓦克·桑切斯;布里吉特·蒙特马耶尔设计研发完成，并于2020-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本通过直接键合将芯片键合到基板的方法在说明书摘要公布了：通过直接键合将芯片100键合到基板101的方法包括提供与芯片100接触的支撑件105的阶段，与支撑件105接触的芯片100是彼此分离的。该键合方法包括：‑在基板101的一个面104上形成液膜103的阶段，‑使芯片100与液膜103接触的阶段，使芯片100与液膜103接触的动作引起芯片100朝向基板101的吸引,‑蒸发液膜103以便通过直接键合将芯片100键合到基板101的阶段。
本发明授权通过直接键合将芯片键合到基板的方法在权利要求书中公布了：1.一种通过直接键合将芯片键合到基板的方法，所述键合方法包括提供支撑件的阶段，所述支撑件包括与所述芯片接触的粘合膜，与所述粘合膜接触的芯片是彼此分离的， 所述键合方法包括： -将所述支撑件放置为与上支撑元件接触， -将所述基板放置在下支撑元件上， -在所述基板的一个面上形成液膜的阶段， -使所述芯片与液膜接触的阶段，使所述芯片与液膜接触的动作引起芯片朝向基板的吸引， -蒸发所述液膜以便通过直接键合将所述芯片键合到基板的阶段, -其中，所述上支撑元件通过所述粘合膜的吸力保持所述支撑件，所述吸力不在贴附有所述芯片的粘合膜的区域中产生，以使得所述粘合膜能够变形，以在所述液膜的蒸发期间伴随所述芯片朝向所述基板， 其中，所述键合方法包括在所述蒸发阶段之后将所述上支撑元件与所述粘合膜分离的阶段，所述粘合膜保持连接到所述芯片。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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