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龙图腾网获悉矽磐微电子(重庆)有限公司申请的专利半导体封装方法及半导体封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148684B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110335631.9，技术领域涉及：H10W40/22；该发明授权半导体封装方法及半导体封装结构是由周辉星设计研发完成，并于2021-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体封装方法及半导体封装结构在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体封装方法及半导体封装结构。本申请中，半导体封装结构包括：预布线基板、第一中间封装结构、第二中间封装结构、第一包封层、第一介电层与散热器，第一中间封装结构与第二中间封装结构位于预布线基板上，并与预布线基板电连接，第一中间封装结构包括第一裸片与第一散热层，第二中间封装结构包括第二裸片与第二散热层，第一包封层位于预布线基板靠近第一中间封装结构与第二中间封装结构的一侧，散热器位于第一中间封装结构与第二中间封装结构远离预布线基板的一侧，且与第一散热层、第二散热层分别连接。本申请实施例中，通过散热器可以实现第一中间封装结构与第二中间封装结构的共同散热，可提高半导体封装结构的散热新能。

本发明授权半导体封装方法及半导体封装结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装方法，其特征在于，所述半导体封装方法，包括： 将第一中间封装结构与第二中间封装结构放置于第一载板上，所述第一中间封装结构包括第一裸片与第一散热层，所述第一裸片包括正面与背面，所述第一裸片的正面与背面相对，所述第一裸片的正面面向所述第一载板，所述第一散热层位于所述第一裸片的背面；所述第二中间封装结构包括第二裸片与第二散热层，所述第二裸片包括正面与背面，所述第二裸片的正面与背面相对，所述第二裸片的正面面向所述第一载板，所述第二散热层位于所述第二裸片的背面； 形成第一包封层，所述第一包封层位于所述第一载板靠近所述第一中间封装结构与所述第二中间封装结构的一侧，至少包覆所述第一中间封装结构的侧面与所述第二中间封装结构的侧面，所述第一散热层与所述第二散热层从所述第一包封层中露出； 去除所述第一载板； 将预布线基板施加在所述第一包封层上，所述第一裸片的正面面向所述预布线基板，所述第二裸片的正面面向所述预布线基板，所述预布线基板具有预布线线路，所述第一中间封装结构、所述第二中间封装结构分别与所述预布线线路电连接； 将散热器施加在所述第一包封层上，所述散热器位于所述第一中间封装结构与所述第二中间封装结构远离所述预布线基板的一侧，且与所述第一散热层、所述第二散热层分别连接。

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