哈尔滨工业大学李兴冀获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利基于多粒子源模拟计算PKA能谱的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115186565B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210759690.3，技术领域涉及：G06F30/25；该发明授权基于多粒子源模拟计算PKA能谱的方法是由李兴冀;应涛;刘中利;杨剑群;崔秀海设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于多粒子源模拟计算PKA能谱的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于多粒子源模拟计算PKA能谱的方法，属于卫星空间环境分析技术领域。方法包括：S1、基于蒙特卡罗方法，构建半导体探测器模型；S2、设置粒子源，所述粒子源包括多种形式，至少其中一种形式的所述粒子源包括两种及以上类型的高能粒子；S3、根据所述半导体探测器模型的硅片厚度进行真实空间环境模拟，计算在相同入射结构和相同模型下，由不同形式的所述粒子源辐照所引起的初级碰撞原子能谱变化趋势。本发明通过使用多种形式的粒子源入射，并通过比较不同粒子源下PKA能谱变化趋势，选择更符合器件任务环境的粒子源，能够更好地模拟空间综合辐射环境因素的影响，进而提高模拟计算结果对空间综合辐射环境效应的代表性。
本发明授权基于多粒子源模拟计算PKA能谱的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于多粒子源模拟计算PKA能谱的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、基于蒙特卡罗方法，构建半导体探测器模型； S2、设置粒子源，所述粒子源包括多种形式，至少其中一种形式的所述粒子源包括两种及以上类型的高能粒子； S3、根据所述半导体探测器模型的硅片厚度进行真实空间环境模拟，计算在相同入射结构和相同模型下，由不同形式的所述粒子源辐照所引起的初级碰撞原子能谱变化趋势，包括在固定高能粒子能量并改变所述粒子源形式的情形下，根据所述半导体探测器模型的硅片厚度进行真实空间环境模拟，所述粒子源从硅片的中心入射，计算在相同入射结构和相同模型下，由不同形式的所述粒子源辐照所引起的所述初级碰撞原子能谱变化趋势；其中，所述改变粒子源形式的情形为逐渐增加所述高能粒子的类型。
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