株式会社日立高新技术高崎晃一获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社日立高新技术申请的专利等离子处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115210851B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180004819.3，技术领域涉及：H10P50/20；该发明授权等离子处理装置是由高崎晃一;岩濑拓设计研发完成，并于2021-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子处理装置在说明书摘要公布了：为了抑制等离子的扩散以及非稳态的放电的产生并能进行稳定的处理，等离子处理装置具备：在内部具备载置样品的样品台的处理室；将该处理室的内部排气成真空的排气部；在处理室的内部形成磁场的磁场形成机构；对通过排气部将内部排气成真空且通过磁场形成机构形成了磁场的处理室的内部供给用于生成等离子的高频电力的电力供给部，在处理室中具备将该处理室的内部分离成从电力供给部供给高频电力一侧的第一区域和设有样品台一侧的第二区域的遮蔽部，该遮蔽部具备设于面对第一区域一侧且形成有第一开口的第一遮蔽板、设于面对第二区域一侧且在中央具有第二开口的第二遮蔽板和配置于第一遮蔽板与第二遮蔽板之间的第三遮蔽板。
本发明授权等离子处理装置在权利要求书中公布了：1.一种等离子处理装置，具备： 对样品进行等离子处理的处理室； 供给微波的高频电力的高频电源； 在所述处理室的内部形成磁场的磁场形成机构； 载置所述样品的样品台； 遮蔽离子的第一遮蔽板；和 配置于所述第一遮蔽板的下方且遮蔽离子的第二遮蔽板， 所述等离子处理装置的特征在于， 所述等离子处理装置还具备：配置于形成有第一开口的所述第一遮蔽板与形成有第二开口的所述第二遮蔽板之间的遮蔽部， 所述第一遮蔽板与所述第二遮蔽板对置，在比与所述第二开口对置的位置更靠外侧形成有所述第一开口， 所述第二遮蔽板在中心部形成所述第二开口， 所述遮蔽部形成为圆筒状。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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