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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利存储器及其制作方法、存储器系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115224109B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210794672.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权存储器及其制作方法、存储器系统是由陈赫;朱宏斌;刘威设计研发完成，并于2022-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器及其制作方法、存储器系统在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种存储器及其制作方法、存储器系统，存储器具有第一区域和第二区域，存储器包括：第一半导体层，包括：沿第一方向并列设置的第一部分和第二部分；第一部分位于第一区域，第二部分位于第二区域；存储单元阵列，包括：多个存储单元，每个存储单元包括第一晶体管；其中，第一晶体管位于第一区域中，第一晶体管的沟道沿第二方向延伸；第二半导体层，与第二部分沿第二方向堆叠设置；外围电路，至少位于第二半导体层中，包括：至少两个第二晶体管；至少一个隔离结构，沿第二方向贯穿第二半导体层和第一半导体层，且位于相邻的两个第二晶体管之间；其中，沿第二方向，隔离结构的长度大于第一晶体管的沟道的长度。

本发明授权存储器及其制作方法、存储器系统在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，所述存储器具有第一区域和第二区域，所述存储器包括： 第一半导体层，包括：沿第一方向并列设置的第一部分和第二部分；其中，所述第一部分位于所述第一区域，所述第二部分位于所述第二区域；所述第一方向平行于所述第一半导体层所在的平面； 存储单元阵列，包括：多个存储单元，每个所述存储单元包括第一晶体管以及和所述第一晶体管耦合的储能元件；其中，所述第一晶体管位于所述第一区域中，所述第一晶体管的沟道沿第二方向延伸，所述第二方向垂直于所述第一半导体层所在的平面； 第二半导体层，与所述第二部分沿所述第二方向堆叠设置； 外围电路，至少位于所述第二半导体层中，且耦合至所述存储单元阵列，包括：至少两个第二晶体管； 至少一个隔离结构，沿所述第二方向贯穿所述第二半导体层和所述第一半导体层，且位于相邻的两个所述第二晶体管之间，用于电隔离相邻的两个所述第二晶体管； 其中，沿所述第二方向，所述隔离结构的长度大于所述第一晶体管的沟道的长度； 所述隔离结构相对远离所述外围电路的一端与所述第一晶体管相对远离所述第二半导体层的一端基本平齐。

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