卡尔蔡司SMT有限责任公司D.科洛奇科夫获国家专利权
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龙图腾网获悉卡尔蔡司SMT有限责任公司申请的专利晶片中检查体积的截面成像方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115280463B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180020918.0，技术领域涉及：H01J37/26；该发明授权晶片中检查体积的截面成像方法是由D.科洛奇科夫;E.福卡;T.柯布;A.布克斯鲍姆;J.T.纽曼;C.休恩;B.牛设计研发完成，并于2021-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶片中检查体积的截面成像方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种双光束设备和三维电路图案检查技术，通过对半导体晶片表面以下超过1μm的大深度延伸的检查体积进行截面测量，并且更具体地，涉及一种方法、计算机程序产品和装置，用于在不从晶片移除样品的情况下生成晶片内部的深检查体积的3D体积图像数据。本发明还涉及利用双光束设备进行三维电路图案检查的3D体积图像生成、截面图像对准方法。
本发明授权晶片中检查体积的截面成像方法在权利要求书中公布了：1.一种从截面图像切片的序列形成3D体积图像的方法，包括： 获得包括检查体积的至少第一截面图像切片和第二截面图像切片的N个截面图像切片的序列，其中获得所述第一截面图像切片和所述第二截面图像切片包括随后通过用FIB柱近似以角度GF铣削到检查体积中来暴露检查体积中的至少第一截面表面和第二截面表面，以及用带电粒子成像设备对所述至少第一截面表面和所述第二截面表面成像，以获得所述至少第一截面图像切片和第二截面图像切片；其中与所述第二截面表面相比，所述第一截面图像表面在垂直于FIB光束的方向上以更大的延伸被铣削，使得在形成所述第二截面表面之后，保留所述第一截面表面的平行表面段，以及 在所述第一截面表面的平行表面段上形成至少一个对准特征以用于所述第一截面图像切片和所述第二截面图像切片的第一相互横向对准的步骤。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人卡尔蔡司SMT有限责任公司，其通讯地址为：德国上科亨；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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