日产化学株式会社奥野贵久获国家专利权
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龙图腾网获悉日产化学株式会社申请的专利半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离用组合物获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115315789B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180023491.X，技术领域涉及：H10P70/00；该发明授权半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离用组合物是由奥野贵久;柳井昌树;福田拓也;绪方裕斗;森谷俊介;荻野浩司;新城彻也设计研发完成，并于2021-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离用组合物在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物来剥离半导体基板上的粘接层的工序，所述剥离用组合物包含溶剂，不包含盐，所述溶剂包含80质量％以上的式1所示的有机溶剂。式中，L表示取代至苯环上的取代基，分别独立地表示碳原子数1～4的烷基，k表示L的数量，为0～5的整数。
本发明授权半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离用组合物在权利要求书中公布了：1.一种半导体基板的清洗方法，其特征在于，包括使用剥离用组合物来剥离半导体基板上的粘接层的工序， 所述粘接层是使用包含粘接剂成分S的粘接剂组合物而得到的膜， 所述粘接剂成分S包含硅氧烷系粘接剂，所述硅氧烷系粘接剂包含通过氢化硅烷化反应而固化的聚有机硅氧烷成分A， 所述剥离用组合物包含溶剂，不包含盐， 所述溶剂包含80质量％以上的式1所示的有机溶剂， 式中，L表示取代至苯环上的取代基，分别独立地表示碳原子数1～4的烷基，k表示L的数量，为0～5的整数。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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