爱思开海力士有限公司朴美性获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体装置以及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332259B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210163185.2，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权半导体装置以及半导体装置的制造方法是由朴美性;金场院;朴寅洙;张晶植;崔元根;崔正达设计研发完成，并于2022-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置以及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：栅极结构，该栅极结构包括彼此交替层叠的导电层和绝缘层；沟道结构，该沟道结构穿过栅极结构并且在第一方向上排布；切割结构，该切割结构在第一方向上延伸并且穿过沟道结构；以及第一狭缝结构，该第一狭缝结构穿过栅极结构并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸。
本发明授权半导体装置以及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，该半导体装置包括： 栅极结构，所述栅极结构包括彼此交替层叠的导电层和绝缘层； 沟道结构，所述沟道结构穿过所述栅极结构并且在第一方向上排布； 切割结构，所述切割结构在所述第一方向上延伸并穿过所述沟道结构以与所述沟道结构中的在所述第一方向上排布的至少两个沟道结构交叉；以及 第一狭缝结构，所述第一狭缝结构穿过所述栅极结构并且在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸 其中，在所述第二方向上彼此相邻的所述切割结构的中心彼此偏移。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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