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龙图腾网获悉长春长光圆辰微电子技术有限公司申请的专利优化湿法腐蚀后晶圆表面厚度范围方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115360090B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211018411.4，技术领域涉及：H10P52/00；该发明授权优化湿法腐蚀后晶圆表面厚度范围方法是由姜舫;叶武阳;方小磊;李闯;孙萱设计研发完成，并于2022-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本优化湿法腐蚀后晶圆表面厚度范围方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种优化湿法腐蚀后晶圆表面厚度范围方法，包括如下步骤：S1、将外延片与纯硅片以及器件晶圆与逻辑电路晶圆进行键合工艺，形成一片晶圆；S2、通过采用机械研磨方式，将外延片或逻辑晶圆的背面研磨至13‑15μm之间并且晶圆总厚度范围至少为2～3μm，通过第一次调整研磨参数以及调整研磨设备内部非接触测量厚度补偿值，使晶圆的厚度呈中间薄，两边厚的状态；S3、通过第二次调整硅片转速、刻蚀反应时间、喷射刻蚀液位置与流量参数，使整片晶圆刻蚀反应速率达到中间最慢，边缘快的状态，刻蚀液将外延片刻蚀到P型外延层，最终得到晶圆总厚度范围在0.05～0.1μm，并且使背部外延片的晶圆厚度达到目标值，最主要是可有效控制晶圆表面厚度范围。

本发明授权优化湿法腐蚀后晶圆表面厚度范围方法在权利要求书中公布了：1.一种优化湿法腐蚀后晶圆表面厚度范围方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、将外延片与纯硅片进行键合工艺，形成一片晶圆； S2、通过采用机械研磨方式，通过晶圆最终的目标值计算机械研磨最终剩余厚度，机械研磨最终剩余厚度=晶圆最终厚度+10um±1um，将所述外延片的背面研磨至13-15μm之间并且所述晶圆总厚度范围至少为2~3μm，通过第一次调整研磨参数以及调整研磨设备内部非接触测量厚度补偿值，使所述晶圆的厚度呈中间薄，两边厚的状态； S3、采用湿法刻蚀方式，依据第一次机械研磨厚度测量值计算机台设定喷射刻蚀液的位置，首先找到晶圆机械研磨厚度最低点对应X轴坐标，厚度测量设定Y轴坐标为0，计算晶圆喷射实际位置=厚度最低点对应X轴坐标+30mm±20mm，机台设定喷射刻蚀液位置=晶圆喷射实际位置*1.1，通过第二次调整硅片转速、刻蚀反应时间、喷射刻蚀液位置与流量参数，使所述晶圆刻蚀反应速率达到中间最慢，边缘快的状态，刻蚀液将所述外延片刻蚀到P型外延层，最终得到所述晶圆的总厚度范围在0.05~0.1μm，所述刻蚀液为氢氟酸、硝酸与醋酸的混合液，且配比浓度为1:3:4，温度为20℃~30℃； 其中，第一次调整研磨转速为2000~4000rpmmin、研磨盘转速为100~500rpmmin、调整流量参数为100~500mlmin、调整研磨设备内部非接触测量厚度补偿值为0.8~1.2μm，第二次调整硅片转速为500~2000rmpmin、刻蚀反应时间为100~300s、调整流量参数为600~1500mlmin、调整机台喷射刻蚀液位置为11~55mm，所述外延片为8寸外延片。

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