北京大学孙伟获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利在基底上沉积纳米结构的方法和纳米结构阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115362529B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180025945.7，技术领域涉及：H10P14/00；该发明授权在基底上沉积纳米结构的方法和纳米结构阵列是由孙伟;陈雅鸿设计研发完成，并于2021-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本在基底上沉积纳米结构的方法和纳米结构阵列在说明书摘要公布了：本发明提供了一种在基底上沉积纳米结构的方法，其包括：在所述基底的表面上形成图形化的对齐层，其中所述图形化的对齐层具有一个或多个腔体，每个腔体具有用于在其中容纳至少一个纳米结构模板的主体区域以及从所述主体区域延伸并且与所述主体区域流体连通的多个延伸区域，其中所述多个延伸区域的尺寸和形状被设置为不容纳所述至少一个纳米结构模板；以及将纳米结构模板扩散到所述图形化的对齐层的所述一个或多个腔体中。
本发明授权在基底上沉积纳米结构的方法和纳米结构阵列在权利要求书中公布了：1.一种用于在基底上沉积纳米结构的方法，其特征在于，所述方法包括： 在所述基底的表面上形成图形化的对齐层，其中所述图形化的对齐层具有一个或多个腔体，每个腔体具有主体区域和多个延伸区域，所述主体区域用于在其中容纳至少一个纳米结构模板，所述多个延伸区域从所述主体区域延伸并且与所述主体区域流体连通，其中所述多个延伸区域的尺寸和形状被设置为不容纳所述至少一个纳米结构模板；以及 将纳米结构模板扩散到所述图形化的对齐层的所述一个或多个腔体中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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