福建省晋华集成电路有限公司叶长福获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394779B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210893653.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制作方法是由叶长福;吕佐文;上官明沁;王喜勤设计研发完成，并于2022-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件，其包括衬底、绝缘层、多条位线、以及位线触点。绝缘层设置在衬底上，位线设置在绝缘层上，位线触点则设置在衬底与位线之间并电连接位线，其中，位线触点还包括第一导电层与第一氧化界面层，第一氧化界面层的最底表面低于绝缘层的底面。由此，本发明的半导体器件可具有复合半导体层的位线触点，进而可改善位线及位线触点的结构可靠度，使半导体器件能达到更为优化的组件效能。
本发明授权半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于包括： 衬底； 绝缘层，设置在所述衬底上； 多条位线，设置在所述绝缘层上；以及 位线触点，设置在所述衬底与所述位线之间并电连接所述位线，其中，所述位线触点还包括第一导电层与第一氧化界面层，所述第一氧化界面层的最底表面低于所述绝缘层的底面，所述位线触点还包括第二氧化界面层和第二导电层，所述第二氧化界面层与所述第一氧化界面层分别设置在所述第一导电层的顶面与底面，所述第二氧化界面层设置在所述第一导电层与所述第二导电层之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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