上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司成国良获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司申请的专利一种器件的鳍部结构形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115424937B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211130462.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种器件的鳍部结构形成方法是由成国良;李俊;张文广;张华设计研发完成，并于2022-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种器件的鳍部结构形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种器件的鳍部结构形成方法，包括：获取形成有第一鳍部、浅沟槽隔离和阱区的衬底；对第一鳍部的表面进行第一低温氧化，在第一鳍部的表面上保形形成第一氧化层；对第一氧化层进行原位去除，在第一鳍部的表面上保形形成本征层；对本征层进行第二低温氧化，在本征层的表面上保形形成第二氧化层；采用低温沉积工艺，在第二氧化层上形成第一栅氧层；对第一栅氧层和第二氧化层进行硬化和低温退火处理，形成由第一栅氧层及其下方的第二氧化层组成的致密的第二栅氧层，和由本征层及其以内的第一鳍部组成的尺寸修复的第二鳍部。本发明能够对鳍部尺寸及受损晶格进行修复，并形成致密化的栅氧层，提高了器件性能。
本发明授权一种器件的鳍部结构形成方法在权利要求书中公布了：1.一种器件的鳍部结构形成方法，其特征在于，包括： 获取形成有第一鳍部、浅沟槽隔离和阱区的衬底； 对所述第一鳍部的表面进行第一低温氧化，在所述第一鳍部的表面上保形形成第一氧化层，其中，第一低温氧化的处理温度为400℃以下； 对所述第一氧化层进行原位去除，然后，在露出的所述第一鳍部的表面上保形形成所述第一鳍部材料的本征层，其中，形成所述本征层的工艺温度为400℃以下； 对所述本征层进行第二低温氧化，在所述本征层的表面上保形形成第二氧化层，其中，第二低温氧化的处理温度为400℃以下； 采用低温沉积工艺，在所述第二氧化层上形成第一栅氧层； 对所述第一栅氧层和所述第二氧化层进行硬化和低温退火处理，其中，低温退火处理的温度为400℃以下。
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