吴巍;徐征获国家专利权
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龙图腾网获悉吴巍;徐征申请的专利具有晶体管的集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483279B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211143063.3，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权具有晶体管的集成电路是由吴巍;徐征设计研发完成，并于2022-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有晶体管的集成电路在说明书摘要公布了：本发明提供了一种具有晶体管的集成电路，在氧化物绝缘芯柱的至少部分高度的侧壁上依次全包围氧化铟锡ITO等氧化物半导体层和栅介质层，并使得栅极包围部分栅介质层，从而使得栅极包围区域中的氧化物半导体层作为MOS晶体管的导电沟道，栅极两侧的氧化物半导体层作为MOS晶体管的源极区和漏极区，由此能够有利于晶体管尺寸的进一步微缩，并改善短沟道效应，保证微缩后的晶体管的性能，进而有利于具有该晶体管的集成电路的微缩和性能的提高。
本发明授权具有晶体管的集成电路在权利要求书中公布了：1.一种具有晶体管的集成电路，其特征在于，包括具有至少一个第一导电结构的基底以及形成在所述至少一个第一导电结构上的多个晶体管，所述第一导电结构与至少一个所述晶体管的源极区电性连接，且所述多个晶体管中的至少一个晶体管包括： 氧化物绝缘芯柱，形成在相应的所述第一导电结构上； 对所述氧化物绝缘芯柱的至少部分高度的侧壁全包围的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层为氧化铟锡，且所述氧化铟锡的薄膜厚度被减薄至使载流子浓度得到相应的调控以及实现所述氧化铟锡从金属性到半导体特性的转变； 对所述氧化物半导体层的至少部分高度的侧壁全包围的栅介质层； 对所述栅介质层的部分高度的侧壁全包围的栅极； 其中，所述栅极包围区域中的氧化物半导体层作为晶体管的沟道区，所述沟道区一侧的氧化物半导体层作为晶体管的源极区，所述沟道区另一侧的氧化物半导体层作为晶体管的漏极区。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人吴巍;徐征，其通讯地址为：214000 江苏省无锡市梁溪区小天鹅品园17号1501室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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