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龙图腾网获悉华南师范大学;深圳市国华光电科技有限公司;深圳市国华光电研究院申请的专利超薄多晶介电层的模型建立方法、击穿测试方法、系统及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115497579B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210997818.X，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权超薄多晶介电层的模型建立方法、击穿测试方法、系统及存储介质是由刘飞龙;张青清;杨奕琯;程彦锟;周国富设计研发完成，并于2022-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本超薄多晶介电层的模型建立方法、击穿测试方法、系统及存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超薄多晶介电层的模型建立方法、击穿测试方法、系统及存储介质，涉及材料科学晶体学领域，方法包括：获取超薄多晶介电层的尺寸数据和材料参数；根据尺寸数据和材料参数，基于泰森多边形模型生成二维晶粒边界模型；将二维晶粒边界模型中的二维晶粒边界朝向介电层厚度的方向拉伸厚度数据，得到三维晶粒边界模型；获取缺陷数据集，并根据预设的分布规则将缺陷数据分布于三维晶粒边界模型的三维晶粒边界上，以更新三维晶粒边界模型。通过该方法，能够让缺陷产生在晶粒边界上，更加贴近实际超薄多晶介电层形貌，在提高准确性的同时，对超薄多晶介电层厚度方向晶粒形貌与缺陷位置进行简化，提高了建模效率。

本发明授权超薄多晶介电层的模型建立方法、击穿测试方法、系统及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种超薄多晶介电层的模型建立方法，其特征在于，包括： 获取超薄多晶介电层的尺寸数据和材料参数，其中所述尺寸数据包括所述超薄多晶介电层的厚度数据； 根据所述尺寸数据和所述材料参数，基于泰森多边形模型生成二维晶粒边界模型； 将所述二维晶粒边界模型中的二维晶粒边界朝向介电层厚度的方向拉伸所述厚度数据，得到三维晶粒边界模型； 获取缺陷数据集，并根据预设的分布规则将所述缺陷数据分布于所述三维晶粒边界模型的三维晶粒边界上，以更新所述三维晶粒边界模型； 所述材料参数包括初始缺陷浓度、多晶晶粒密度及任意两个相邻缺陷之间的最小预设距离；所述任意两个相邻缺陷之间的最小预设距离为任意两个相邻氧空位之间的最小预设距离； 所述缺陷数据集包括多个初始缺陷和产生的新缺陷，所述根据预设的分布规则将所述缺陷数据分布于所述三维晶粒边界模型的三维晶粒边界上，以更新所述三维晶粒边界模型，包括： 根据所述最小预设距离，将多个所述初始缺陷随机分布于所述三维晶粒边界模型的三维晶粒边界上； 根据所述最小预设距离，将所述新缺陷分布于所述三维晶粒边界模型的三维晶粒边界上且靠近所述初始缺陷。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华南师范大学;深圳市国华光电科技有限公司;深圳市国华光电研究院，其通讯地址为：510006 广东省广州市番禺区外环西路378号华南师范大学华南先进光电子研究院；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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