广州华星光电半导体显示技术有限公司李金明获国家专利权
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龙图腾网获悉广州华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利薄膜晶体管及其制备方法、电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115498044B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211041724.1，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权薄膜晶体管及其制备方法、电子器件是由李金明;卢马才设计研发完成，并于2022-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜晶体管及其制备方法、电子器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种薄膜晶体管及其制备方法、电子器件；该薄膜晶体管包括衬底、有源层、栅极层和源漏极层，有源层设置于衬底一侧，有源层包括掺杂层和沟道层，沟道层设置于掺杂层上，栅极层设置于有源层远离衬底的一侧，源漏极层设置于栅极层远离有源层的一侧，其中，掺杂层包括轻掺杂部和重掺杂部，轻掺杂部与重掺杂部沿水平方向交叉设置，源漏极层与重掺杂部连接。本申请通过将有源层设置为掺杂层和沟道层，使得在对沟道层进行结晶时，由于结晶温度较高，掺杂层内晶体处于熔融状态导致离子扩散，可以直接形成重掺杂部和轻掺杂部，无需进行离子注入，减少电子器件制备的工艺步骤，提高电子器件的制备效率。
本发明授权薄膜晶体管及其制备方法、电子器件在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括： 衬底； 有源层，设置于所述衬底一侧，所述有源层包括掺杂层和沟道层，所述沟道层设置于所述掺杂层上； 栅极层，设置于所述有源层远离所述衬底的一侧； 源漏极层，设置于所述栅极层远离所述有源层的一侧； 其中，所述掺杂层包括轻掺杂部和重掺杂部，所述轻掺杂部与所述重掺杂部沿水平方向交叉设置，所述源漏极层与所述重掺杂部连接；所述沟道层覆盖所述掺杂层；所述薄膜晶体管采用激光退火工艺对沟道层进行结晶，以使掺杂层在熔融状态下发生离子扩散，得到轻掺杂部和重掺杂部。
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