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龙图腾网获悉芯翼信息科技(上海)有限公司;芯翼信息科技(深圳)有限公司申请的专利集成高线性度CMOS功率放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115549608B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211228376.9，技术领域涉及：H03F1/32；该发明授权集成高线性度CMOS功率放大器是由邓昊培;张京华;肖建宏设计研发完成，并于2022-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成高线性度CMOS功率放大器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种集成高线性度CMOS功率放大器，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管，第一NMOS管的栅极与第二NMOS管的栅极相连通，第三NMOS管的栅极与第四NMOS管的栅极相连通，第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极、第三NMOS管的源极与第四NMOS管的源极相连并接地，第一NMOS管的漏极和第三NMOS管的漏极均与第五NMOS管的源极相连，第二NMOS管的漏极和第四NMOS管的漏极均与第六NMOS管的源极相连通，第五NMOS管的栅极和第六NMOS管的栅极相连并连接偏置电压。本发明采用交叉互补差分结构，能够减小非线性的产生，且所述CMOS功率放大器产生的AMPM失真随工艺波动小。

本发明授权集成高线性度CMOS功率放大器在权利要求书中公布了：1.一种集成高线性度CMOS功率放大器，其特征在于，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管，所述第一NMOS管的栅极与所述第二NMOS管的栅极相连通并与第一信号入口连接，所述第三NMOS管的栅极与所述第四NMOS管的栅极相连通并与第二信号入口连接，所述第一NMOS管的源极、所述第二NMOS管的源极、所述第三NMOS管的源极与所述第四NMOS管的源极相连并接地，所述第一NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的漏极均与所述第五NMOS管的源极相连，所述第二NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极均与所述第六NMOS管的源极相连通，所述第五NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极相连并连接偏置电压，所述第五NMOS管的漏极与第一信号出口连接，所述第六NMOS管的漏极与第二信号出口连接，其中，所述第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管设计为使所述第一信号入口的等效输入电容大致等于所述第一NMOS管的栅极与源极之间的寄生电容的2倍，所述第二信号入口的等效输入电容大致等于所述第三NMOS管的栅极与源极之间的寄生电容的2倍，所述第二NMOS管与所述第三NMOS管采用交叉对方式，所述第一NMOS管与所述第二NMOS管、所述第三NMOS管与所述第四NMOS管为互补对，所述第一NMOS管、所述第四NMOS管、第五NMOS管与所述第六NMOS管构成差分结构，此种连接方式称为交叉互补差分结构，所述CMOS功率放大器还包括第一电阻和第二电阻，所述第二NMOS管的源极与所述第一电阻一端相连，所述第三NMOS管的源极与所述第二电阻一端相连，所述第一NMOS管的源极、所述第一电阻的另一端、所述第二电阻的另一端与所述第四NMOS管的源极相连并接地。

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