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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种非对称横电磁波传输室特性阻抗计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115575709B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211143516.2，技术领域涉及：G01R27/02；该发明授权一种非对称横电磁波传输室特性阻抗计算方法是由谷亦行;周忠元;周香;景莘慧;任近静;汤仕平;王桂华;盛明杰设计研发完成，并于2022-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种非对称横电磁波传输室特性阻抗计算方法在说明书摘要公布了：本发明属于电磁兼容领域，具体涉及一种基于静态场理论的非对称横电磁波传输室AsymmetricTransverseElectromagneticCell,ATEMcell特性阻抗计算方法。首先，对ATEM小室主传输段中间横截面进行简化建模，再根据电磁场基本原理，计算出内外导体在静电场条件下的正负电荷分布。然后根据计算得到的电荷量计算横截面的电容，最后利用无耗传输线的特性阻抗公式计算出ATEM小室主传输段中间截面特性阻抗。通过该方法获得的ATEM小室主传输段中间截面特性阻抗，与实际测试获得的特性阻抗误差较小，具有实际工程应用意义。

本发明授权一种非对称横电磁波传输室特性阻抗计算方法在权利要求书中公布了：1.一种非对称横电磁波传输室特性阻抗计算方法，其特征在于：包括如下步骤， 首先，对ATEM小室主传输段中间的横截面进行简化建模，对横截面场分布进行静态场近似，然后基于矩阵法计算所述横截面的电荷分布，然后根据所述横截面的电荷分布计算所述横截面的分布电容，最后根据所述横截面的分布电容计算特性阻抗； 包括如下步骤， S1.对ATEM小室主传输段中间的横截面的内外导体建模为细丝结构，电荷按照规律分布在细丝结构上，并假设模型上的电荷分布符合静态场理论； S2.基于静态场近似理论，计算出所述横截面的内外导体在静电场条件下的正负电荷分布； S3.对所述横截面的内外导体进行网格划分，并假设每一段的电荷都集中分布于每个网格段的中点，采用静态场标量电位公式计算出所述内外导体上划分的每一段网格中点上的电荷数值及极性，根据计算出的电荷分布算出所述横截面的分布电容； S4.根据所述横截面的分布电容，利用无耗传输线的特性阻抗公式，计算出ATEM小室主传输段中间的截面特性阻抗。

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