佛山市国星光电股份有限公司谢健兴获国家专利权
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龙图腾网获悉佛山市国星光电股份有限公司申请的专利一种功率半导体器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115579344B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211052485.X,技术领域涉及:H10W72/50;该发明授权一种功率半导体器件是由谢健兴;成年斌;詹洪桂;袁海龙;蒙求恩;李丹伟设计研发完成,并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功率半导体器件在说明书摘要公布了:本发明涉及功率半导体器件,包括引线框架、基板、芯片组件,基板包括陶瓷板、以及设置在陶瓷板上的第一铜层和第二铜层,芯片组件包括并排设置在第一铜层上的第一芯片单元和第二芯片单元,第一芯片单元的顶面设置有第一栅极和第一源极,第一芯片单元的底面设置有第一漏极;第二芯片单元的顶面上设置有第二源极和第二栅极,第二芯片单元的底面设置有第二漏极;引线框架包括第一连接板和第二连接板,第一栅极与第二铜层之间通过第一键合线连接,第二栅极与第二铜层之间通过第二键合线连接;第一键合线与第二键合线垂直于陶瓷板的第一侧至第二侧的方向,其使栅源回路中的电流方向与漏源回路中的电流方向互相垂直,降低了功率半导体器件的寄生电感。
本发明授权一种功率半导体器件在权利要求书中公布了:1.一种功率半导体器件,其特征在于: 包括引线框架、基板和芯片组件,所述基板包括陶瓷板、以及设置在所述陶瓷板上的第一铜层和第二铜层,所述芯片组件包括并排设置在所述第一铜层上的第一芯片单元和第二芯片单元,所述第一芯片单元的顶面设置有第一栅极和第一源极,所述第一芯片单元的底面设置有第一漏极;所述第二芯片单元的顶面上设置有第二源极和第二栅极,所述第二芯片单元的底面设置有第二漏极; 所述引线框架包括第一连接板和第二连接板,所述第一连接板连接所述第一铜层并沿所述陶瓷板的第一侧的外侧方向延伸;所述第二连接板连接所述第一源极和所述第二源极,并沿所述陶瓷板的第二侧的外侧方向延伸,其中,所述第一侧和所述第二侧为相对的两侧; 所述第一栅极与所述第二铜层之间通过第一键合线连接,所述第二栅极与所述第二铜层之间通过第二键合线连接;所述第一键合线与所述第二键合线垂直于所述陶瓷板的第一侧至第二侧的方向。
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