买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉瑞声声学科技(深圳)有限公司申请的专利一种MEMS电容传声器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115580816B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211138934.2，技术领域涉及：H04R19/04；该发明授权一种MEMS电容传声器是由阿努普·帕特尔;尤安·詹姆斯·博伊德;凯夫兰·雅尼克·皮埃尔设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS电容传声器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MEMS电容传声器，包括基底、支撑部以及振膜，其中：所述振膜通过支撑部所述支撑在所述基底上方，所述基底、所述支撑部、所述振膜围成了真空腔；所述振膜靠近所述真空腔的一侧通过连杆连接静电离合器；所述静电离合器连接有电容感测结构。与现有技术相比，本发明的优点是允许麦克风在客户可能期望的大范围大气压力下工作。这是以纯被动的方式静电实现的，这比其他需要复杂的电子和主动控制的设计具有优势，由于在不考虑转子位置直流电变化的情况下，只需考虑转子的微小交流扰动，所以将膜与感测结构物理解耦，从而简化了感测结构的设计。

本发明授权一种MEMS电容传声器在权利要求书中公布了：1.一种MEMS电容传声器，其特征在于：包括基底、支撑部以及振膜，其中： 所述振膜通过所述支撑部支撑在所述基底上方，所述基底、所述支撑部、所述振膜围成了真空腔； 所述振膜靠近所述真空腔的一侧通过连杆连接静电离合器； 所述静电离合器连接有电容感测结构； 所述静电离合器包括： 高阻抗节点电极阵列，两个所述高阻抗节点电极阵列之间形成有通过通道； 偏置电极阵列，所述偏置电极阵列可于所述通过通道内往复移动，以使得所述偏置电极阵列和所述高阻抗节点电极阵列之间产生静电力； 所述高阻抗节点电极阵列包括若干高阻抗节点电极以及接地件，相邻的所述高阻抗节点电极之间设置有绝缘氧化硅层，所述接地件电性连接若干所述高阻抗节点电极后保持接地； 所述高阻抗节点电极包括第一导电多晶硅层、电阻桥层以及第二导电多晶硅层，所述第一导电多晶硅层通过所述电阻桥层与所述第二导电多晶硅层电性连接；所述接地件电性连接若干所述第二导电多晶硅层后保持接地。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人瑞声声学科技(深圳)有限公司，其通讯地址为：518057 广东省深圳市南山区高新区南区粤兴三道6号南京大学深圳产学研大楼A座6楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。