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龙图腾网获悉齐齐哈尔大学申请的专利一种无源无芯片RFID多维度传感器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115586224B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111519501.7，技术领域涉及：G01N27/22；该发明授权一种无源无芯片RFID多维度传感器及其制备方法和应用是由苗凤娟;陶佰睿;王丽婧;韩月;田朋博设计研发完成，并于2021-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种无源无芯片RFID多维度传感器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种无源无芯片RFID多维度传感器及其制备方法和应用，无源无芯片RFID多维度传感器的制备方法，包括以下步骤，S1：制备无源无芯片RFID天线；S2：制备湿敏材料、光敏材料和气敏材料；S3：将步骤S2中制备的湿敏材料、光敏材料和气敏材料分别附着到步骤S1中制备的RFID天线的对应区域，得到无源无芯片RFID多维度传感器；S4：测量无源无芯片RFID多维度传感器对应的参数并进行优化。本发明利用喷墨打印技术制备得到表面具有ZnORGO湿度敏感层、TiO2RGO光照敏感层和MoS2RGO气体敏感层的无源无芯片RFID多维度传感器，将其植入食品包装上，通过信息感应就能实现数据统计，不再需要手工逐个扫描，大大节省了人力和物力。

本发明授权一种无源无芯片RFID多维度传感器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种无源无芯片RFID多维度传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤， S1：制备无源无芯片RFID天线； S2：制备湿敏材料、光敏材料和气敏材料； 所述的湿敏材料为ZnORGO湿敏材料；所述的光敏材料为TiO2RGO光敏材料；所述的气敏材料为MoS2RGO气敏材料； S3：将步骤S2中制备的湿敏材料、光敏材料和气敏材料分别附着到步骤S1中制备的RFID天线的对应区域，得到无源无芯片RFID多维度传感器； S4：测量无源无芯片RFID多维度传感器对应的参数并进行优化； 步骤S1的具体操作包括以下步骤， S101：通过HFSS软件对RFID天线进行仿真设计； S102：使用PET柔性板作为基底，纳米银作为墨水，使用喷墨打印技术将步骤S101中设计出来的RFID天线打印在基底上； S103：使用恒温干燥箱对打印在基底上的RFID天线进行干燥，干燥温度为60℃，干燥时间30min； S104：使用微量注射器将氧化锌溶液涂抹在RFID天线上，然后重复步骤S103： S105：在常温条件下，使用旋涂仪将PVA和石墨烯的混合溶液涂抹到RFID天线的空隙及基底的表面； S106：使用恒温干燥箱对覆有PVA和石墨烯混合溶液的RFID天线进行干燥，在RFID天线表面形成一层薄膜，得到无源无芯片RFID天线； 步骤S3的具体操作包括以下步骤， S301：将步骤S2中制得的纳米ZnO粉末、纳米TiO2粉末和纳米MoS2粉末分别配制成10molL、6molL和3molL的纳米ZnO溶液、纳米TiO2溶液和纳米MoS2溶液； S302：将步骤S1中制备得到的无源无芯片RFID天线放在旋涂仪上，先后将5mL纳米ZnO溶液和10μLRGO溶液滴涂到无源无芯片RFID天线相应位置上，设置转数为3000rmin； S303：旋涂结束后将无源无芯片RFID天线放入烘干箱60℃烘干30min，在无源无芯片RFID天线表面形成ZnORGO湿度敏感层； S304：重复步骤S302和步骤S303，分别在无源无芯片RFID天线表面旋涂纳米TiO2溶液和RGO溶液、纳米MoS2溶液和RGO溶液，旋涂结束后进行烘干，最终在无源无芯片RFID天线表面形成具有ZnORGO湿度敏感层、TiO2RGO光照敏感层和MoS2RGO气体敏感层的无源无芯片RFID多维度传感器。

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