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龙图腾网获悉苏州立琻半导体有限公司申请的专利半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115602765B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211246713.7，技术领域涉及：H10H20/81；该发明授权半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装是由崔洛俊;金炳祚;吴炫智;丁星好设计研发完成，并于2017-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种半导体器件和包括其的半导体器件封装，该半导体器件包括：发光结构，发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层，有源层设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间；第二导电半导体层具有范围为1：1.25至1：100的第二最短距离W2与第一最短距离W1的比率，第二最短距离W2是从第一表面到第二点的距离，第一最短距离W1是从第一表面到第一点的距离；第一表面为第二半导体层的远离有源层的表面；第一点是第二导电半导体层的铝成分与有源层的最靠近第二导电半导体层的阱层的铝成分相同的点；并且第二点是第二导电半导体层具有与铝成分相同的掺杂剂成分的点。

本发明授权半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装在权利要求书中公布了：1.一种深紫外半导体器件，包括： 发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层，所述有源层设置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间， 其中，所述第一导电半导体层具有Inx1Aly1Ga1-x1-y1N，其中，0≤x1≤1、0≤y1≤1以及0≤x1+y1≤1， 其中，所述有源层具有Inx2Aly2Ga1-x2-y2N，其中，0≤x2≤1、0y2≤1以及0≤x2+y2≤1， 其中，所述第二导电半导体层具有Inx5Aly5Ga1-x5-y5N，其中，0≤x5≤1、0≤y5≤1以及0≤x5+y5≤1， 其中，所述第一导电半导体层包括第一子层、第二子层和第三子层，所述第二子层设置在所述第一子层和所述第三子层之间， 其中，所述第二子层包括所述第一导电半导体层的最低铝成分，所述第一子层和或所述第三子层包括所述第一导电半导体层的最高铝成分， 其中，所述第一导电半导体层的最高铝成分和所述第一导电半导体层的最低铝成分的比率在1:0.5至1:0.9的范围内。

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