浙江驰拓科技有限公司刘波获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利一种三轴集成磁电阻传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115633538B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211194858.7，技术领域涉及：H10N52/00；该发明授权一种三轴集成磁电阻传感器及其制备方法是由刘波;迟克群;金立川;唐晓莉设计研发完成，并于2022-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三轴集成磁电阻传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种三轴集成磁电阻传感器及其制备方法，涉及磁电阻传感器技术领域，目的是实现高集成度且可以同时实现测量物体在面内的角度或位置以及物体在空间的角度或位置的传感器，包括基底、AHE薄膜材料层、AMR薄膜材料层和缓冲层；AHE薄膜材料层为霍尔条形状，AMR薄膜材料层为惠斯通电桥形状；AHE薄膜材料层和AMR薄膜材料层自下而上依次形成于基底上，AMR薄膜材料层的底部和顶部均设置有缓冲层；AHE薄膜材料层和所述AMR薄膜材料层均设置有金属电极；本发明具有集成度高、测量内容多样化和成本低的优点。
本发明授权一种三轴集成磁电阻传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三轴集成磁电阻传感器，其特征在于，包括基底、AHE薄膜材料层、AMR薄膜材料层和缓冲层；所述AHE薄膜材料层为霍尔条形状，所述AMR薄膜材料层为惠斯通电桥形状；所述AHE薄膜材料层和所述AMR薄膜材料层自下而上依次形成于所述基底上，所述AMR薄膜材料层的底部和顶部均设置有缓冲层；所述AHE薄膜材料层和所述AMR薄膜材料层均设置有金属电极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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