中国科学技术大学吴宇恩获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利SEBS在作为植入式生物电极基底中的应用以及一种植入式生物电极获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115644866B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211390793.3，技术领域涉及：A61B5/1473；该发明授权SEBS在作为植入式生物电极基底中的应用以及一种植入式生物电极是由吴宇恩;朱小飞;熊灿设计研发完成，并于2022-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本SEBS在作为植入式生物电极基底中的应用以及一种植入式生物电极在说明书摘要公布了：本发明提供了一种SEBS在作为植入生物电极基底中的应用。本发明基于SEBS基底的生物电极可植入生物体组织中，用于连续或非连续分析生物体生理参数。相对于其它柔性基底，SEBS基底具有更薄、柔韧性更好的特点，能降低机体运动对电信号的干扰，缩小植入组织的体积范围降低炎症反应，从而提高测量的准确性和长期稳定性，在用于植入传感时有望满足更多植入位点需求，具有良好的应用前景。
本发明授权SEBS在作为植入式生物电极基底中的应用以及一种植入式生物电极在权利要求书中公布了：1.一种基于SEBS基底的植入生物电极，包括传感探头7以及连接结构16，其特征在于，所述植入生物电极包括： 基底，所述基底的厚度为10~200µm，所述基底由第一SEBS电极载体13和第二SEBS电极载体2复合叠加而成；所述基底包括传感探头部位以及连接部位； 设置于所述第一SEBS电极载体13的表面的第一导电层8和与所述第一导电层相连的工作电极触点5；在所述第一导电层8表面位于所述传感探头部位且靠近植入端位置设置有感测区域9； 设置于所述第二SEBS电极载体2的表面的第二导电层10和与所述第二导电层10相连的参比电极触点4；在所述第二导电层10表面位于所述传感探头部位且靠近植入端位置设置有参比材料层11； 设置于所述第二导电层10表面的第一绝缘层14； 设置于所述第一绝缘层14表面的第三导电层12和与所述第三导电层12相连、且设置于所述第二SEBS电极载体2表面的对电极触点3；或者，第三导电层12和对电极触点3设置于所述第一SEBS电极载体13的另一表面； 设置于所述第三导电层12表面的第二绝缘层6。
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