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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利一种离子辅助化学刻蚀碳化硅的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115679451B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211096214.4，技术领域涉及：C30B33/12；该发明授权一种离子辅助化学刻蚀碳化硅的方法是由温晓镭;胡欢设计研发完成，并于2022-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种离子辅助化学刻蚀碳化硅的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种离子辅助化学刻蚀碳化硅的方法，包括以下步骤：A将单晶碳化硅进行退火处理后，采用离子注入的方法在单晶碳化硅表面的特定图形区域注入高能惰性气体离子，得到离子注入的单晶碳化硅；B将所述离子注入的单晶碳化硅进行湿法刻蚀后进行清洗和干燥，得到刻蚀后的碳化硅。本发明提供了一种离子辅助化学刻蚀碳化硅的方法。将离子注入改性与化学湿法刻蚀工艺相结合，实现碳化硅的离子辅助湿法刻蚀。该方法可加工微米及纳米尺度的碳化硅刻蚀结构，制造精度高，并且只需一次离子注入和一次化学湿法刻蚀，该方法的制造流程简单、效率高，无需制备掩膜，也不需要真空、电压、特种气体等条件配合，工艺复杂度低、可靠性高。

本发明授权一种离子辅助化学刻蚀碳化硅的方法在权利要求书中公布了：1.一种离子辅助化学刻蚀碳化硅的方法，其特征在于，包括以下步骤： A将单晶碳化硅进行退火处理后，采用离子注入的方法在单晶碳化硅表面的特定图形区域注入高能惰性气体离子，得到离子注入的单晶碳化硅，由于惰性气体离子与碳化硅的相互作用，在注入点正下方的单晶碳化硅发生变性，形成非晶化区域，所述退火的温度为800~1000℃，所述退火的时间为2min~5min，所述退火的装置选自退火炉、快速热退火机、氧化炉或LPCVD；所述离子注入的离子能量为1~80keV；所述高能惰性气体离子选自氦离子、氖离子或氩离子； B将所述离子注入的单晶碳化硅非晶化区域进行湿法刻蚀后进行清洗和干燥，得到刻蚀后的碳化硅，刻蚀深度为1~800nm；所述湿法刻蚀的湿法刻蚀剂为40%HF与33%H2O2混合溶液，体积比100:1~1:100，腐蚀时间为0.5~72h，腐蚀时溶液温度为室温~100℃；或者，所述湿法刻蚀的湿法刻蚀剂为40%HF与68%HNO3混合溶液，体积比50:1~1:50，腐蚀时间为0.5~72h；腐蚀时溶液温度为室温~100℃。

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