北京智创华科半导体研究院有限公司余湛获国家专利权
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龙图腾网获悉北京智创华科半导体研究院有限公司申请的专利转化结构及线阵列光源获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115681891B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211433814.5,技术领域涉及:F21V13/02;该发明授权转化结构及线阵列光源是由余湛;曹峻松;阮军;逄悦设计研发完成,并于2022-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本转化结构及线阵列光源在说明书摘要公布了:本发明提供的一种转化结构及线阵列光源,涉及光学结构技术领域,以在一定程度上解决现阶段缩小发光面积需要通过缩小光源本身面积,使得制造难度较大,且成本较高的问题。本发明提供的转化结构,包括支撑构件、反射组件以及导光构件;支撑构件和反射组件围设成反射空间,光源设置于反射空间内,反射组件包括第一反射组件和第二反射组件,导光构件位于第一反射组件和第二反射组件之间;导光构件包括进光部、传导部和出光部,进光部位于反射空间内,且与光源对应设置,出光部位于反射空间外,且出光部的面积小于进光部的面积,传导部位于进光部和出光部之间。
本发明授权转化结构及线阵列光源在权利要求书中公布了:1.一种转化结构,其特征在于,包括支撑构件、反射组件以及导光构件; 所述支撑构件和所述反射组件围设成反射空间,光源设置于所述反射空间内,所述反射组件包括第一反射构件和第二反射构件,所述导光构件位于所述第一反射构件和所述第二反射构件之间; 所述导光构件包括进光部、传导部和出光部,所述进光部位于所述反射空间内,且与所述光源对应设置,所述出光部位于所述反射空间外,且所述出光部的面积小于所述进光部的面积,所述传导部位于所述进光部和所述出光部之间; 所述支撑构件包括第一支撑部和第二支撑部,所述第二支撑部的水平高度小于所述第一支撑部的水平高度,所述第一反射构件的一端盖设于所述第一支撑部上,且所述第一反射构件与所述第一支撑部和所述第二支撑部围设成敞口部,所述导光构件的传导部由所述敞口部伸出; 所述第二反射构件的一端与所述第二支撑部相连接,且所述第二反射构件与所述第一反射构件平行设置; 所述传导部与所述进光部对接的一侧的尺寸大于所述传导部与所述出光部对接的一侧的尺寸,以使所述传导部呈渐收式结构。
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