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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利改善齐纳二极管反向电流特性的子电路模型及其构建方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115688662B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211184966.6，技术领域涉及：G06F30/38；该发明授权改善齐纳二极管反向电流特性的子电路模型及其构建方法是由孙玉红;王正楠设计研发完成，并于2022-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本改善齐纳二极管反向电流特性的子电路模型及其构建方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种改善齐纳二极管反向电流特性的子电路模型及其构建方法，该方法包括：步骤1，测量齐纳二极管的正向和反向特性，获取电流Ij与结电压Vj的对应数据，阴极n端和阳极p端间电压；步骤2，调整模型参数确保正向电流特性仿真数据和实测数据吻合，用拟合方法得到反向电流与齐纳二极管的阴极n端和阳极p端间电压关系的数学表达式，得到反向电阻值；步骤3，根据反向电阻值得到用于调节反向击穿电流的电阻r1，在齐纳二极管的原子电路模型中增加中间端头p1，在齐纳二极管的阳极p端和中间端头p1端间增加用于调节反向击穿电流的电阻r1，而中间端头p1端和齐纳二极管的阴极n端保持原电路，构建新的子电路模型。

本发明授权改善齐纳二极管反向电流特性的子电路模型及其构建方法在权利要求书中公布了：1.一种改善齐纳二极管反向电流特性的子电路模型的构建方法，包括如下步骤： 步骤101，测量所述齐纳二极管的正向和反向特性，获取电流Ij与结电压Vj的对应数据，阴极n端和阳极p端间电压vn，p； 步骤102，根据步骤101的实测数据，调整模型参数确保正向电流特性仿真数据和实测数据吻合，再用拟合方法得到施加反向电压时的反向电流与所述齐纳二极管的阴极n端和阳极p端间电压vn，p的关系的数学表达式，从而得到一反向电阻值，其中施加反向电压时，所述反向电阻值r2=rbv； 步骤103，根据所述反向电阻值得到一用于调节反向击穿电流的电阻r1，在所述齐纳二极管的原子电路模型中增加一个中间端头p1，在所述齐纳二极管的阳极p端和中间端头p1端间增加所述用于调节反向击穿电流的电阻r1，而所述中间端头p1端和所述齐纳二极管的阴极n端保持原电路，构建所述齐纳二极管的新的子电路模型，其中，所述用于调节反向击穿电流的电阻r1的阻值为rbv*sgnvn,p+12。

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