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中微半导体设备(上海)股份有限公司连增迪获国家专利权

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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利等离子体处理装置及其内壁组件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115692149B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110872349.4,技术领域涉及:H01J37/32;该发明授权等离子体处理装置及其内壁组件是由连增迪;段蛟设计研发完成,并于2021-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。

等离子体处理装置及其内壁组件在说明书摘要公布了:一种等离子体处理装置及其内壁组件,等离子体处理装置包含反应腔、设置在反应腔内侧壁处的内壁组件,设置在反应腔内的等离子体约束环,以及设置在反应腔底部的排气装置。内壁组件包含围成一个等离子体环境处理空间的筒状部,所述筒状部的内侧壁设有若干个弧形沟槽,所述弧形沟槽由筒状部的内侧壁的上方向下延伸,等离子体约束环具有多个斜向下的排气通道。本发明使从内壁组件的内侧壁和等离子体约束环排出的气流形成涡旋结构,所述气流中的微小颗粒相互碰撞团聚成大颗粒污染物从反应腔中排出,防止颗粒污染物累积在基片表面和基片周围的零件上,保持了刻蚀环境的洁净。

本发明授权等离子体处理装置及其内壁组件在权利要求书中公布了:1.一种等离子体处理装置,其特征在于,包含: 反应腔; 内壁组件,其设置在所述反应腔内,所述内壁组件用于保护所述反应腔的内侧壁; 等离子体约束环,其设置在所述反应腔内,所述等离子体约束环具有多个排气通道; 设置在反应腔底部的排气装置; 所述内壁组件包含筒状部,其围成一个处理空间,所述处理空间内用于形成等离子体环境,所述筒状部的内侧壁设有若干个弧形沟槽,所述弧形沟槽由筒状部的内侧壁的上方向下延伸; 所述内壁组件的弧形沟槽排出的气流方向、等离子体约束环的排气通道排出的气流方向与排气装置的转子叶片的方向相同,用于使来自于所述弧形沟槽中的气流进入等离子体约束环的排气通道内,之后再通过排气装置输出。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中微半导体设备(上海)股份有限公司,其通讯地址为:201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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