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龙图腾网获悉芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利一种半导体功率器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692487B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110876476.1，技术领域涉及：H10D12/01；该发明授权一种半导体功率器件及其制作方法是由许永平;杨龙康;刘聪慧;欧阳雄设计研发完成，并于2021-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体功率器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体功率器件及其制作方法，该制作方法工艺过程简单，通过共享光罩，从目前主流的5‑7道核心光罩减少为4道核心光罩，其中，与常规半导体功率器件制造工艺相比，本发明省掉了P型重掺杂区和N型重掺杂区两个光罩，并通过同一光罩第一光罩定义了具有不同宽度的第一沟槽与第二沟槽，无需采用额外的光罩来形成第二沟槽，从而大大降低了工艺成本，且有助于提高良品率。本发明中，第二沟槽由于宽度较窄，易于被掺杂层填满，掺杂层中的第二导电类型掺杂剂向外扩散以在第二沟槽周围的第二导电类型阱区中形成第二导电类型重掺杂区，可以提供IGBT发射区或MOSFET源区的欧姆接触，并降低第二导电类型阱区的体电阻，有助于防止闩锁效应的触发。

本发明授权一种半导体功率器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体功率器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供第一导电类型衬底，形成第二导电类型阱区于所述衬底中； 基于第一光罩形成间隔排列的第一沟槽与第二沟槽于所述衬底中，所述第一沟槽及所述第二沟槽自所述衬底正面开口，并往所述衬底背面方向延伸，且所述第一沟槽的底面低于所述第二导电类型阱区的底面，所述第二沟槽的底面高于所述第一沟槽的底面，所述第一沟槽的宽度大于所述第二沟槽的宽度； 形成包含第二导电类型掺杂剂的掺杂层于所述第二沟槽中，并加热处理使所述掺杂层中的第二导电类型掺杂剂扩散以在所述第二沟槽周围形成第二导电类型重掺杂区； 依次形成栅介质层与栅导电层于所述衬底表面，所述栅介质层与所述栅导电层依次填充进所述第一沟槽内； 基于第二光罩图形化所述栅导电层位于所述衬底上的部分； 通过离子注入自对准形成第一导电类型重掺杂区于所述第一沟槽两侧； 形成层间介质层于所述衬底上方； 基于第三光罩图形化所述层间介质层以形成接触孔，所述接触孔位于所述第二沟槽上方并暴露出所述第一导电类型重掺杂区及所述第二导电类型重掺杂区； 形成导体层于所述层间介质层表面，所述导体层填充进所述接触孔； 基于第四光罩图形化所述导体层以得到引线结构。

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