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龙图腾网获悉江苏芯盛智能科技有限公司申请的专利数据读写方法、装置、计算机设备及可读存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115712394B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211485200.1，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权数据读写方法、装置、计算机设备及可读存储介质是由王金先;刘海亮设计研发完成，并于2022-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本数据读写方法、装置、计算机设备及可读存储介质在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种数据读写方法、装置、计算机设备及可读存储介质，用于通过SRAM在DRAM中读写数据，所述方法包括：向所述DRAM写数据时，将第一目标数据写入SRAM的第一缓存区域，并生成写数据控制信息；根据所述写数据控制信息将所述第一目标数据写入所述DRAM；从所述DRAM读数据时，生成读数据控制信息；根据所述读数据控制信息从所述DRAM读取第二目标数据，并将所述第二目标数据写入所述SRAM的第二缓存区域；从所述第二缓存区域读取所述第二目标数据。本发明使用SRAM作为中间介质，使得CPU能够对DRAM中的大量数据进行读写，有效增加了CPU读写DRAM中数据的读写效率。

本发明授权数据读写方法、装置、计算机设备及可读存储介质在权利要求书中公布了：1.一种数据读写方法，其特征在于，用于通过SRAM在DRAM中读写数据，所述方法包括： 向所述DRAM写数据时，将第一目标数据写入所述SRAM的第一缓存区域，并生成写数据控制信息，所述写数据控制信息包括所述第一目标数据在所述DRAM的预设存储地址； 根据所述写数据控制信息将所述第一目标数据写入所述DRAM； 从所述DRAM读数据时，生成读数据控制信息，所述读数据控制信息包括第二目标数据在所述DRAM的预设存储地址； 根据所述读数据控制信息从所述DRAM读取所述第二目标数据，并将所述第二目标数据写入所述SRAM的第二缓存区域； 从所述第二缓存区域读取所述第二目标数据； 向所述DRAM写数据时，若所述第一目标数据在所述DRAM中的预设存储地址是非连续的，所述方法还包括：将所述第一目标数据及其对应的DRAM地址分为多帧写数据指令，分别写入所述SRAM的第三缓存区域，并生成写数据配置信息；根据所述写数据配置信息依次将所述第三缓存区域中的第一目标数据写入其对应的DRAM地址中； 所述第一缓存区域、所述第二缓存区域和所述第三缓存区域为功能独立的缓存区域。

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