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龙图腾网获悉南京威派视半导体技术有限公司申请的专利基于复合介质栅的背照式感光阵列及其成像装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115732523B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211519048.4，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权基于复合介质栅的背照式感光阵列及其成像装置是由王瑶设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于复合介质栅的背照式感光阵列及其成像装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于复合介质栅的背照式感光阵列及其成像装置，包括半导体衬底，所述半导体衬底包含行列排布的多个像素体区、设于相邻像素体区之间的第一隔离结构和覆盖于底部的第一导电层，所述第一导电层下表面设有高介电常数层，所述半导体衬底上设有第二导电层，所述第一隔离结构在厚度方向上贯穿半导体衬底，以第一隔离结构为边界延伸以分隔相邻的像素体区，所述第二导电层中设有第二隔离结构，所述第二隔离结构在厚度方向上延伸至半导体衬底中，将第二导电层分隔为收集区和读取区。整体控制像素体区电压，节省了像素的面积，使像素之间串扰尽可能小，同时不影响对各个像素的衬底施加电压以便于进行等电位操作。

本发明授权基于复合介质栅的背照式感光阵列及其成像装置在权利要求书中公布了：1.一种基于复合介质栅的背照式感光阵列，其特征在于：包括半导体衬底，所述半导体衬底包含行列排布的多个像素体区、设于相邻像素体区之间的第一隔离结构和覆盖于底部的第一导电层，所述第一导电层下表面设有高介电常数层，所述半导体衬底上设有第二导电层，所述第一隔离结构在厚度方向上贯穿半导体衬底，以第一隔离结构为边界延伸以分隔相邻的像素体区，所述第二导电层中设有第二隔离结构，所述第一隔离结构和第二隔离结构均为网格状结构,所述第二隔离结构在厚度方向上延伸至半导体衬底中，将第二导电层的每个像素体区对应位置分隔为收集区和读取区，且将相邻的收集区和读取区分隔开； 所述收集区上方还设置有复合介质收集栅，所述读取区上方设有复合介质读取栅，所述复合介质读取栅延伸至所述第二隔离结构上方并与所述复合介质收集栅相连，处于所述复合介质读取栅正下方的部分读取区形成沟道区，读取区除沟道区外的部分被沟道区分割为源区和漏区； 所述收集区和读取区分隔方向为纵向，纵向相邻的不同像素区的读取区之间相连，且部分或全部位于第一隔离结构上方； 第一导电层的材料类型与所述像素体区的材料类型相同，所述第二导电层的材料类型与所述像素体区的材料类型相同，所述第一导电层、所述像素体区、收集区、沟道区的导电类型相同，所述沟道区与源区、漏区的导电类型均相反； 所述第二隔离结构完全覆盖了所述第一隔离结构，第一隔离结构与第二隔离结构中位于第一隔离结构正上方的部分形成一个整体的第一隔离体，所述第一隔离体分隔了相邻像素区的收集区和收集区、收集区和读取区、读取区和读取区；所述第二隔离结构中不属于第一隔离体的部分形成第二隔离体，所述第二隔离体分割了同一像素区的收集区和读取区； 所述第一隔离结构或所述第一隔离体中，水平方向从侧面向内部依次包含了隔离介质层和隔离栅极，其中感光阵列中的所有隔离栅极相互连接形成一个网格状整体； 对于每个像素区，所述复合介质收集栅包括在所述收集区上方依次叠设的第一底层介质层、第一电荷耦合层、第一顶层介质层和第一控制栅极，所述复合介质读取栅包括在所述沟道区上方依次叠设的第二底层介质层、第二电荷耦合层、第二顶层介质层和第二控制栅极，所述第一电荷耦合层和第二电荷耦合层相连成为一个整体的电荷耦合层，所述第一控制栅极和第二控制栅极相连成为一个整体的控制栅极； 所述半导体衬底和第一、第二导电层采用单晶硅；所述第一、第二底层介质层采用氧化硅、氮化硅或其它高介电常数介质材料；所述第一、第二顶层介质层和所述隔离介质层采用氧化硅氮化硅氧化硅、氧化硅氧化铝氧化硅、氧化硅、氧化铝或其它高介电常数介质材料；所述电荷耦合层、所述控制栅极和所述隔离栅极采用多晶硅、金属或透明导电电极。

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