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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利超级结器件结构的电性补偿方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763292B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211508970.3，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权超级结器件结构的电性补偿方法是由李昊;陆怡设计研发完成，并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本超级结器件结构的电性补偿方法在说明书摘要公布了：一种超级结器件结构的电性补偿方法，包括：提供第一批次晶圆，第一批次晶圆包括测试晶圆及若干待补偿晶圆；在测试晶圆内形成第一外延层，第一外延层内有第一离子；获取第一外延层的第一电阻值；获取第一批次晶圆的超级结器件结构中第一外延层对应的最佳电阻值；获取将第一电阻值调整为最佳电阻值时对应的外延掺杂工艺参数偏差值；根据外延掺杂工艺参数偏差值当外延掺杂工艺修正补偿；采用补偿后的工艺参数在待补偿晶圆内形成第二外延层。通过将第一离子掺杂总量的表征转化为精确化的电阻值进行表征，使得工艺参数调节时具有精确化的依据，以改善待补偿晶圆中超级结器件结构的掺杂失配，提升超级结器件结构的电学性能。

本发明授权超级结器件结构的电性补偿方法在权利要求书中公布了：1.一种超级结器件结构的电性补偿方法，其特征在于，包括： 提供第一批次晶圆，所述第一批次晶圆包括测试晶圆及若干待补偿晶圆，所述测试晶圆内具有第一超级结沟槽，所述待补偿晶圆内具有第二超级结沟槽，所述第一超级结沟槽的体积和所述第二超级结沟槽的体积相同； 采用第一外延掺杂工艺在所述第一超级结沟槽内形成第一外延层，所述第一外延层内掺杂有第一离子，所述第一外延掺杂工艺具有第一外延掺杂工艺参数； 对所述第一外延层进行电性测试，获取所述第一外延层的第一电阻值，所述第一外延层中第一离子的掺杂总量映射所述第一电阻值； 获取所述第一批次晶圆的超级结器件结构中所述第一外延层掺杂的第一离子的最佳掺杂总量，所述第一外延层中第一离子的最佳掺杂总量映射有最佳电阻值； 获取阻值数据库，所述阻值数据库中包括若干组不同离子掺杂总量的外延层的电阻值、以及每个电阻值对应的外延掺杂工艺参数； 根据所述阻值数据库，获取将所述第一电阻值调整为所述最佳电阻值时对应的外延掺杂工艺参数偏差值； 根据所述外延掺杂工艺参数偏差值，对所述第一外延掺杂工艺中的第一外延掺杂工艺参数进行修正补偿，获取第二外延掺杂工艺，所述第二外延掺杂工艺具有第二外延掺杂工艺参数； 采用所述第二外延掺杂工艺在所述第二超级结沟槽内形成第二外延层，所述第二外延层内掺杂有所述第一离子。

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