常州承芯半导体有限公司俞洁获国家专利权
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龙图腾网获悉常州承芯半导体有限公司申请的专利异质结双极晶体管结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115775731B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211573943.4，技术领域涉及：H10D10/01；该发明授权异质结双极晶体管结构及其形成方法是由俞洁;李新宇;姜清华;黄玺设计研发完成，并于2022-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本异质结双极晶体管结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种异质结双极晶体管结构及其形成方法，方法包括：提供衬底；在衬底上形成集电层，集电层包括第一区域和第二区域；在第一区域进行第一离子注入，形成第一电离区域，第一电离区域的离子浓度大于第二区域的离子浓度；在集电层上形成基极层和集电极，基极层位于所述集电层的第二区域上方，集电极位于第一电离区域上方，并与电连接；在基极层上形成发射层和基极电极，发射层包括第三区域和第四区域，基极电极和基极层电连接；在第三区域进行第二离子注入，形成第二电离区域，第二电离区域的离子浓度大于第四区域的离子浓度；在发射层上形成发射电极，发射电极位于第二电离区域上方，与第二电离区域电连接。上述方案可以降低HBT外延层成本。
本发明授权异质结双极晶体管结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种异质结双极晶体管结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成集电层，所述集电层包括第一区域和第二区域； 在所述第一区域进行第一离子注入，形成第一电离区域，所述第一电离区域的离子浓度大于所述第二区域的离子浓度； 在所述集电层上形成基极层和集电极，所述基极层位于所述集电层的第二区域上方，所述集电极位于所述第一电离区域上方，与所述第一电离区域电连接； 在所述基极层上形成发射层和基极电极，所述发射层包括第三区域和第四区域，所述基极电极和所述基极层电连接； 在所述第三区域进行第二离子注入，形成第二电离区域，所述第二电离区域的离子浓度大于所述第四区域的离子浓度； 在所述发射层上形成发射电极，所述发射电极位于所述第二电离区域上方，与所述第二电离区域电连接。
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