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龙图腾网获悉国能龙源电气有限公司申请的专利一种用于储能变流器的大功率IGBT驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115776294B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211613755.X，技术领域涉及：H03K17/567；该发明授权一种用于储能变流器的大功率IGBT驱动电路是由朱峰;罗雄飞;李蕴倬;苏哲侃;侯丽楠;刘勇;司瑶设计研发完成，并于2022-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于储能变流器的大功率IGBT驱动电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于储能变流器的大功率IGBT驱动电路，包括：信号接收电路、逻辑处理电路和驱动放大电路；所述信号接收电路与所述逻辑处理电路电连接，所述逻辑处理电路电与所述驱动放大电路连接；所述信号接收电路将光信号转化为数字信号，再将所述数字信号取反，得到取反信号；所述逻辑处理电路将高电平的取反信号转化为正电压信号，将低电平的取反信号转化为负电压信号；所述驱动放大电路将所述正电压信号或者负电压信号放大，向IGBT输入开通信号或关断信号。本发明公开的技术内容，可以稳定有效的驱动大功率IGBT开通和关断，提高了工作的可靠性；并且电路结构简单、成本低、功耗小等优点。

本发明授权一种用于储能变流器的大功率IGBT驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种用于储能变流器的大功率IGBT驱动电路，其特征在于，包括：信号接收电路、逻辑处理电路和驱动放大电路； 所述信号接收电路与所述逻辑处理电路电连接，所述逻辑处理电路电与所述驱动放大电路连接； 所述信号接收电路将光信号转化为数字信号，再将所述数字信号取反，得到取反信号； 所述逻辑处理电路将高电平的取反信号转化为正电压信号，将低电平的取反信号转化为负电压信号； 所述驱动放大电路将所述正电压信号或者负电压信号放大，向IGBT输入开通信号或关断信号； 所述逻辑处理电路包括：电阻R1、R2、R6-R10，二极管D1、D2，稳压二极管D3，以及三极管Q1-Q5；其中Q1、Q3为NPN型，Q2、Q4、Q5为PNP型；连接关系如下： 三极管Q1的发射极通过电阻R7与稳压二极管D3的负极相连，电阻R8连接在第三电源正极与D3负极之间，D3正极接公共端； 三极管Q1的集电极连接二极管D1的负极，D1正极连接三极管Q2的基极，电阻R1并联在Q2的基极与发射极之间，Q2发射极接第二电源正极； 三极管Q2的集电极驱动三极管Q4的基极，电阻R9、R10并联在Q4的基极与集电极之间并接第二电源负极，二极管D2并联在Q4的基极与发射极之间； 三极管Q3和Q5构成推挽电路连接在第二电源正极与负极之间；其中，电阻R2和R6串联在第二电源正极与三极管Q4发射极之间构成偏置电路，Q3和Q5的基极共同连接在R2与R6的连接点上，Q3和Q5的发射极相连作为输出端； 所述驱动放大电路包括：电阻R3、R4、R11、R12，电容C1、C4，稳压二极管D4、D5，以及MOS管Q6、Q7；其中Q6为N沟道，Q7为P沟道；连接关系如下： 电阻R4的一端连接三极管Q3和Q5的发射极，另一端连接MOS管Q6和Q7的栅极； MOS管Q6和Q7构成推挽放大电路，Q6漏极接第三电源正极，Q7漏极接第三电源负极； MOS管Q6的源极与电阻R3的一端相连，MOS管Q7的源极与电阻R12的一端相连； 电阻R3的另一端与电阻R12的另一端相连，构成信号输出端； 稳压二极管D4的负极、MOS管Q6的源极和电阻R11的一端相连，稳压二极管D5的负极、MOS管Q7的源极和电阻R11的另一端相连，稳压二极管D4的正极与稳压二极管D5的正极相连；电容C1连接在第三电源正极与公共端之间，电容C4连接在公共端与第三电源负极之间，所述信号输出端接IGBT的G极，所述公共端接IGBT的E极。

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