浜松光子学株式会社高木慎一郎获国家专利权
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龙图腾网获悉浜松光子学株式会社申请的专利光电转换装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116601970B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180082100.1，技术领域涉及：H04N25/71；该发明授权光电转换装置是由高木慎一郎;山田淳矩设计研发完成，并于2021-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本光电转换装置在说明书摘要公布了：本发明的光电转换装置的传送部具有：第1传送区域，其沿着第1线传送电荷；第2传送区域，其沿着第2线传送电荷；第3传送区域，其沿着第3线传送电荷；第1传送电极；及第2传送电极。第3线自第1线及第2线的至少一方的线上偏移。第3传送区域包含：第1半导体区域，其具有第1杂质浓度；及第2半导体区域，其具有较第1杂质浓度高的第2杂质浓度。第2半导体区域以在第2传送区域侧扩宽的方式沿着第3线延伸。第1半导体区域配置于第2半导体区域的两侧。
本发明授权光电转换装置在权利要求书中公布了：1.一种光电转换装置，其具备： 光电转换部，其根据光的入射而产生电荷；及 传送部，其传送所述电荷， 所述传送部具有： 第1传送区域，其沿着第1线传送所述电荷； 第2传送区域，其沿着第2线传送所述电荷； 第3传送区域，其沿着与所述第1线及所述第2线连接的第3线自所述第1传送区域侧向所述第2传送区域侧传送所述电荷； 第1传送电极，其配置于所述第1传送区域上；及 第2传送电极，其配置于所述第2传送区域上， 所述第3线自所述第1线及所述第2线的至少一方的线上偏移， 所述第3传送区域包含： 第1半导体区域，其具有第1杂质浓度；及 第2半导体区域，其具有较所述第1杂质浓度高的第2杂质浓度， 所述第2半导体区域以在所述第2传送区域侧扩宽的方式沿着所述第3线延伸， 所述第1半导体区域在所述第2半导体区域扩宽的方向上，配置于所述第2半导体区域的两侧。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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