上海交通大学刘景全获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利仿郎之万振子的压电MEMS超声换能器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116809363B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211022991.4，技术领域涉及：B06B1/06；该发明授权仿郎之万振子的压电MEMS超声换能器及其制备方法是由刘景全;阮涛;王淇;徐庆达设计研发完成，并于2022-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本仿郎之万振子的压电MEMS超声换能器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种仿郎之万振子的压电MEMS超声换能器及其制备方法，包括由下至上依次设置的第一硅层、第一电极层、压电层、第二电极层和第二硅层；其中：第一硅层上设有多个阵列单元，阵列单元之间通过沟槽隔开，沟槽贯穿压电层和第二电极层，第二电极层通过沟槽被划分为多个第二电极层单元；第二硅层包括多个呈台阶状的凸起结构，凸起结构分别位于第二电极层单元上；凸起结构包括同轴设置的上层第二硅层和下层第二硅层，上层第二硅层远离第二电极层单元；上层第二硅层的面积小于下层第二硅层的面积。本发明实现了仿郎之万振子的d33振动模态，本发明的压电MEMS超声换能器可以用于心内血管成像、指纹识别等小尺寸高精度的场合。
本发明授权仿郎之万振子的压电MEMS超声换能器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种仿郎之万振子的压电MEMS超声换能器，其特征在于，包括由下至上依次设置的第一硅层、第一电极层、压电层、第二电极层和第二硅层；其中： 所述第一硅层上设有多个阵列单元，所述阵列单元之间通过沟槽隔开，所述沟槽贯穿所述压电层和所述第二电极层，所述第二电极层通过所述沟槽被划分为多个第二电极层单元； 所述第二硅层包括多个呈台阶状的凸起结构，所述凸起结构分别位于所述第二电极层单元上； 所述凸起结构包括同轴设置的上层第二硅层和下层第二硅层，所述上层第二硅层远离所述第二电极层单元；所述上层第二硅层的面积小于所述下层第二硅层的面积，形成喇叭结构的压电MEMS超声换能器，所述上层第二硅层和所述下层第二硅层的厚度相等，均为所述第二硅层的厚度的一半。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海交通大学，其通讯地址为：200240 上海市闵行区东川路800号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励