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龙图腾网获悉郑州航空工业管理学院申请的专利一种低界面热阻氮化镓/金刚石材料的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116815124B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310858349.8，技术领域涉及：C23C14/18；该发明授权一种低界面热阻氮化镓/金刚石材料的制备方法是由黄亚博;王旭磊;孙逸翔;任文慧;黄宝柱;高阳;武晓歌;郭晓琴设计研发完成，并于2023-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低界面热阻氮化镓/金刚石材料的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体制备技术领域，公开一种低界面热阻氮化镓金刚石材料的制备方法。S1、制备多晶金刚石膜，随后对其切割、研磨、抛光；S2、将氮化镓晶圆和步骤S1制备的金刚石膜分别清洗后，采用磁控溅射技术在氮化镓的氮面和金刚石膜单面分别镀制银铜钛合金介质层；S3、ICP刻蚀步骤S2所得氮化镓和金刚石膜的银铜钛合金介质层，得到刻蚀层；刻蚀结束后，清洗，真空烘干备用；S4、将步骤S3所得氮化镓和金刚石膜的刻蚀层上下面对面堆叠放置作为键合试样，然后直流电弧等离子体加热，得到目标产品。本发明通过介质层设计和独特的键合加热方式，能够在很大程度上提升氮化镓和金刚石的键合强度以及减低界面热阻。

本发明授权一种低界面热阻氮化镓/金刚石材料的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低界面热阻氮化镓金刚石材料的制备方法，其特征在于，制备步骤如下： S1、制备多晶金刚石膜，随后对其切割、研磨、抛光，切割后金刚石膜的形状、尺寸与氮化镓晶圆保持一致； S2、将氮化镓晶圆和步骤S1制备的金刚石膜分别清洗后，采用磁控溅射技术在氮化镓的单面和金刚石膜单面分别镀制银铜钛合金介质层； S3、ICP刻蚀步骤S2所得氮化镓和金刚石膜的银铜钛合金介质层，得到刻蚀层；刻蚀结束后，清洗，真空烘干备用； S4、将步骤S3所得氮化镓和金刚石膜的刻蚀层上下面对面堆叠放置作为键合试样，然后直流电弧等离子体加热，得到目标产品； 步骤S2中，磁控溅射时，金刚石和氮化镓相邻放置在衬底上，衬底温度为200-300℃，银铜钛三个金属靶材同时溅射，银靶溅射靶功率设定为60-100W，铜靶溅射靶功率设定为30-60W，钛靶溅射靶功率设定为20-40W，氩气通量10-25sccm，腔室压力0.5-0.7Pa，溅射时间3-9min； 步骤S3中，ICP刻蚀条件为：ICP刻蚀功率600-800W，射频功率30-50W，刻蚀氯气含量10-20sccm，氩气含量8-12sccm，刻蚀压强为2-4Pa。

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