北京大学郑德印获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉北京大学申请的专利体硅内空腔结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116854027B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310745056.9，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权体硅内空腔结构及其制备方法是由郑德印;王玮;张驰;张铁宾设计研发完成，并于2023-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本体硅内空腔结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种体硅内空腔结构及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：提供硅衬底；在所述硅衬底的上表面刻蚀形成第一多孔层；刻蚀生成第二多孔层；腐蚀去除所述第二多孔层，以形成连通所述第一孔隙的空腔；覆盖所述硅衬底的上表面以及所述第一多孔层的上表面形成薄膜层。该制备方法简单、高效，成本低，而且通过第一多孔层和第二多孔层的设计可以有效控制空腔的大小以及硅薄膜厚度的均匀性。
本发明授权体硅内空腔结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种体硅内空腔结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供硅衬底； 在所述硅衬底的上表面采用电化学刻蚀工艺刻蚀形成间隔分布的多个第一孔隙，以生成第一多孔层；形成所述第一孔隙的刻蚀电流为10mAcm2,刻蚀溶液为含有表面活性剂的氢氟酸水溶液，所述表面活性剂的加入量为10-3molL； 采用电化学刻蚀工艺刻蚀位于所述第一多孔层下方的所述硅衬底，形成间隔分布的多个第二孔隙，生成第二多孔层；其中，所述第一孔隙的孔径大于所述第二孔隙的孔径，所述第一孔隙连通所述第二孔隙；形成所述第二孔隙的刻蚀电流为100mAcm2，刻蚀溶液为氢氟酸与无水乙醇的混合溶液，所述氢氟酸与所述无水乙醇的体积比为3：2； 腐蚀去除所述第二多孔层，以形成连通所述第一孔隙的空腔；去除所述第二多孔层采用的腐蚀溶液为四甲基氢氧化铵溶液、去离子水和无水乙醇的混合溶液，所述四甲基氢氧化铵溶液、所述去离子水与所述无水乙醇的体积为1：5：1； 覆盖所述硅衬底的上表面以及所述第一多孔层的上表面形成薄膜层；所述薄膜层的厚度≥12第一孔隙的孔径。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京大学，其通讯地址为：100871 北京市海淀区颐和园路5号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励