买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国科学院大连化学物理研究所申请的专利一种提高离子迁移谱峰峰分离度的离子迁移管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116978771B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210431643.6，技术领域涉及：H01J49/06；该发明授权一种提高离子迁移谱峰峰分离度的离子迁移管是由陈创;李海洋;蒋丹丹;杨其穆;徐一仟设计研发完成，并于2022-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高离子迁移谱峰峰分离度的离子迁移管在说明书摘要公布了：本发明公开一种提高离子迁移谱峰峰分离度的离子迁移管。通过在同一根离子迁移管内设置两个相互间隔、平行放置的第一和第二离子门，将离子迁移管内部分为电离区、迁移区和压缩区这三个依次相邻的区域；迁移区内形成恒定的轴向均匀直流电场，将经过第一离子门注入的离子团分离成离子迁移率K不同的多个薄片状离子团，并传输至第二离子门；第二离子门相对于第一离子门多次延迟短暂开启，将迁移区内离子迁移率K不同的薄片状离子团依次选通注入压缩区内进行离子团时域宽度的压缩校正，并快速传输至离子接收极检测。本发明所公开的离子迁移管，在提高离子迁移管分辨能力的同时，实现离子迁移谱图中峰峰分离度的有效提高。

本发明授权一种提高离子迁移谱峰峰分离度的离子迁移管在权利要求书中公布了：1.一种提高离子迁移谱峰峰分离度的离子迁移管，所述离子迁移管为3个以上环状电极和2个以上环状绝缘体自左至右依次同轴交替叠合构成的圆柱状中空腔体，于腔体左端设置离子源1、右端设置离子接收极2，其特征在于： 腔体内位于离子源1和离子接收极2之间，自左至右依次设置第一离子门3和第二离子门4，将腔体内分成三个区域，其中离子源1和第一离子门3间构成电离区5，第一离子门3和第二离子门4间构成轴向长度为Ld的迁移区6，Ld介于100～200mm之间，优选110～140mm，第二离子门4和离子接收极2间构成轴向长度为Lc的压缩区7，Lc介于1～15mm之间，优选5～10mm； 第一离子门3由自左至右绝缘间隔设置、相互平行的第一栅网电极31与第二栅网电极32构成，第二离子门4由自左至右绝缘间隔设置、相互平行的第三栅网电极41与第四栅网电极42构成，第二栅网电极32与第三栅网电极41施加的电压恒定不变，于迁移区6内形成恒定的轴向均匀直流电场Ed，调制第一栅网电极31的电压高于或低于第二栅网电极32的电压控制第一离子门3的开启或关闭，调制第四栅网电极41的电压高于或低于第三栅网电极41的电压控制第二离子门4的开启或关闭，第二离子门4开启时，压缩区7内形成与迁移区6内相同的轴向均匀直流电场Ed，Ed介于15～30Vmm之间，优选20～25Vmm，第二离子门4关闭时，压缩区7内形成时域增强的轴向均匀直流电场Ec，Ec介于100～150Vmm之间，优选110～130Vmm； Ld大于Lc，Ec强度大于Ed强度，离子迁移率为K的离子通过迁移区6的迁移时间远大于该离子通过压缩区7的迁移时间。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院大连化学物理研究所，其通讯地址为：116023 辽宁省大连市沙河口区中山路457-41号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。