苏州大学曹冰获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州大学申请的专利一种基于图案化石墨烯掩膜制备氮化镓薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117144328B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310435684.7，技术领域涉及：C23C16/26；该发明授权一种基于图案化石墨烯掩膜制备氮化镓薄膜的方法是由曹冰;陶佳豪;李建洁;蔡鑫设计研发完成，并于2023-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于图案化石墨烯掩膜制备氮化镓薄膜的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于图案化石墨烯掩膜制备氮化镓薄膜的方法，在衬底层的表面采用等离子体增强化学气相沉积法生长多层石墨烯层；将石墨烯层通过光刻和刻蚀制备图案化六方石墨烯掩膜结构；对掩膜结构进行无机清洗，去除窗口区域内刻蚀残留的氧化物，采用金属有机化学气相沉积法两步生长氮化镓外延层，氮化镓第一步先在六方掩膜的窗口成核生长，氮化镓第二步再横向生长向掩膜中心聚合，得到完整的氮化镓薄膜。采用本发明提供的技术方案，通过调控温度、压强和ⅤⅢ比等生长参数改变氮化镓的生长模式，生长的氮化镓最终侧向合并，得到高质量的氮化镓薄膜。结果显示图案化六方石墨烯掩膜能有效降低氮化镓因失配而产生的高位错密度，弛豫氮化镓的应力，提高氮化镓的晶体质量。
本发明授权一种基于图案化石墨烯掩膜制备氮化镓薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于图案化石墨烯掩膜制备氮化镓薄膜的方法，其特征在于：在衬底层的表面采用等离子体增强化学气相沉积法生长多层石墨烯层；将石墨烯层通过光刻和刻蚀制备图案化六方石墨烯掩膜结构，所述图案化六方石墨烯掩膜结构包括有保留的石墨烯图案和图案化去除石墨烯形成的窗口区域，其中所述石墨烯图案为六方结构，所述窗口区域位于石墨烯图案的外周，所述窗口区域为环绕石墨烯图案的六方结构；对掩膜结构进行无机清洗，去除窗口区域内刻蚀残留的氧化物，采用金属有机化学气相沉积法两步生长氮化镓外延层，氮化镓第一步先在六方掩膜的窗口成核生长，氮化镓第二步再横向生长向掩膜中心聚合，得到完整的氮化镓薄膜。
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