新奥科技发展有限公司石磊获国家专利权
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龙图腾网获悉新奥科技发展有限公司申请的专利一种Half-Heusler热电材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117265309B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311248388.2，技术领域涉及：C22C1/04；该发明授权一种Half-Heusler热电材料及其制备方法和应用是由石磊;曹聪帅;李全设计研发完成，并于2023-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Half-Heusler热电材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本公开涉及一种Half‑Heusler热电材料及其制备方法和应用，所述制备方法包括如下步骤：1将高熔点金属进行熔炼，得到高熔点合金；2高熔点合金粉末和低熔点金属粉末混合；3混合粉末进行真空热处理和退火处理，得到预处理材料；4预处理材料进行放电等离子体烧结，得到所述Half‑Heusler热电材料；其中，所述高熔点金属的熔点高于1500℃，所述低熔点金属的熔点低于400℃。本公开提供的制备方法能够使各金属元素组分充分混合均匀且比例保持恒定，避免一次性熔炼过程中金属元素扩散不均匀和扩散慢的问题，制备得到高纯度、具有单一相结构的Half‑Heusler热电材料。
本发明授权一种Half-Heusler热电材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种Half-Heusler热电材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤： 1将高熔点金属进行熔炼，得到高熔点合金； 2高熔点合金粉末和低熔点金属粉末混合； 3混合粉末进行真空热处理，在完成上述真空热处理后，在处理环境中冷却降温至退火温度进行退火处理，得到预处理材料；所述退火处理的温度为800-850℃，时间为3-5天； 4预处理材料进行放电等离子体烧结，得到所述Half-Heusler热电材料；所述Half-Heusler热电材料为P型Half-Heusler热电材料Nb0.86Hf0.14FeSb； 其中，所述高熔点金属的熔点高于1500℃，所述低熔点金属的熔点低于400℃。
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