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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种高效率激光切割碳化硅晶锭的方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117283152B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311040318.8，技术领域涉及：B23K26/38；该发明授权一种高效率激光切割碳化硅晶锭的方法及装置是由张百涛;梁润泽;姚勇平;聂鸿坤;王荣堃;陈秋;夏金宝;何京良;徐现刚设计研发完成，并于2023-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高效率激光切割碳化硅晶锭的方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开一种高效率激光切割碳化硅晶锭的方法及装置，涉及半导体材料激光加工技术和装备技术领域。包括将脉冲激光进行分束，第一束作为改质激光，第二束经过频率变换后作为加热激光；将改质激光与加热激光进行相位延迟和合术，实现改质激光与加热激光同轴同步加工SiC晶锭；改质激光聚焦在SiC晶锭内部进行改质加工，形成改质部与裂纹区；加热激光聚焦在SiC晶锭内部以加热的方式施加热应力，调控裂纹扩展；控制SiC晶锭与激光脉冲的相对移动，按设定路径进行扫描加工，形成改质层与裂纹连结层；以改质层和裂纹连结层为界面，将SiC晶锭的一部分剥离得到晶片。本发明实现了改质激光和加热激光与SiC晶锭的同时空作用，降低了加工耗时、晶圆剥离难度，提高了剥离质量。

本发明授权一种高效率激光切割碳化硅晶锭的方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种高效率激光切割碳化硅晶锭的方法，其特征在于，包括以下步骤： 将激光光源发出的脉冲激光进行分束，按照设定比例分成两束光，第一束作为改质激光，第二束经过频率变换后作为加热激光； 将改质激光与加热激光进行相位延迟和合术，实现改质激光与加热激光同轴同步加工SiC晶锭；其中，改质激光聚焦在SiC晶锭内部设定深度进行改质加工，最终在改质激光焦点附近形成改质部与裂纹区；加热激光聚焦在与改质激光相同的深度，在SiC晶锭内部以加热的方式施加热应力，调控裂纹扩展； 控制SiC晶锭与激光脉冲的相对移动，按设定路径进行扫描加工，在设定深度形成改质层与裂纹连结层； 以改质层和裂纹连结层为界面，将SiC晶锭的一部分剥离得到晶片； 所述改质激光的脉冲激光能量为达到SiC晶锭的损伤阈值，使SiC晶锭内部发生改质，改质激光的脉冲宽度为100fs~100ns，单脉冲能量为10~100μJ； 通过非线性晶体对第二束激光进行相位匹配，实现倍频得到加热激光，所述加热激光的波长为对单晶碳化硅吸收率高的波长； 将改质激光与加热激光进行相位延迟和合术，实现改质激光与加热激光同轴同步加工SiC晶锭，具体为： 首先实现改质激光与加热激光的同步： 反射镜与高精度步进电机配合构成延迟线，调节延迟线中反射镜的位置，改变改质激光的传输光程，最终实现与加热激光的同步加工； 之后实现改质激光与加热激光的同轴： 将与加热激光同步后的改质激光与加热激光一起，通过二向色镜进行合束，实现改质激光与加热激光的同轴加工。

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