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龙图腾网获悉山西中来光能电池科技有限公司申请的专利一种具有局域等离激元结构的晶体硅太阳电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117293225B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311355148.2，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种具有局域等离激元结构的晶体硅太阳电池及其制备方法是由张耕;郭飞;邹金圩;乔晓琴;熊大明设计研发完成，并于2023-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有局域等离激元结构的晶体硅太阳电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种具有局域等离激元结构的晶体硅太阳电池及其制备方法，它包括依次进行的制绒、扩散、单面清洗、抛光、制结、退火、BOE清洗、ALD、镀膜、局域等离激元结构、金属化，该晶体硅太阳电池的结构包括晶硅衬底，其前表面设载流子选择性层、第一钝化层以及减反射层，背表面设由隧穿层和重掺杂多晶硅层构成的第二钝化层、减反射层和局域等离激元结构；局域等离激元结构镶嵌于晶硅衬底后表面的减反射层中，由若干纳米金属颗粒构成局域等离激元结构。本发明在传统的晶硅电池减反射基础上采用激光开膜搭配电镀或者丝网印刷的方式，在电池背表面增加了局域等离激元结构，使更多的光留在晶体硅内部，进而提升了太阳电池的效率。

本发明授权一种具有局域等离激元结构的晶体硅太阳电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有局域等离激元结构的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一、制绒：采用碱溶液对晶硅衬底进行表面处理，使晶硅衬底的表面形成金字塔形状的陷光结构； 步骤二、扩散：采用硼源磷源掺杂源对晶硅衬底其中一面进行掺杂扩散，以在晶硅衬底的正面制备P或N型的发射极； 步骤三、单面清洗：采用链式机台，并使用HF水溶液，将掺杂硅片背面及侧面的氧化层去除； 步骤四、抛光：采用碱性溶液对晶硅衬底的背面进行抛光； 步骤五、制结：在晶硅衬底的背面制备SiO2隧穿层，再在隧穿层表面沉积N或P型掺杂的非晶硅薄层； 步骤六、退火：激活步骤五非晶硅薄层中的掺杂原子，并将其转化为掺杂多晶硅，退火温度为800～1000℃，退火时间为1～1.5h； 步骤七、BOE清洗：使用双氧水以及HF清洗晶硅衬底表面原生氧化层以及有机物污染物； 步骤八、ALD：在P型发射极表面制备Al2O3钝化膜； 步骤九、镀膜：以SiH4和NH3为反应的前驱气体来制备氮化硅薄膜，以使所述SiNx薄膜减少光反射以及前驱气体释放原子态的H来对硅衬底进行氢钝化； 步骤十、在晶硅衬底背表面制备阵列式点阵，以形成由若干纳米金属颗粒构成的局域等离激元结构； 步骤十一、金属化：对晶硅衬底的正背面，以丝网印刷的方式涂附金属浆料，再经高温烧结后，形成正背面金属电极以收集光生载流子； 其中，步骤十中：采用脉冲激光器，根据要制备的纳米金属颗粒位置，在晶硅衬底背表面打开减反射膜层，使重掺杂的多晶硅层露出，采用电镀工艺，使金属阳离子在多晶硅层表面沉积，以形成局域等离激元结构；或者是， 采用脉冲激光器，根据要制备的纳米金属颗粒位置，在晶硅衬底背表面打开减反射膜层，使重掺杂的多晶硅层露出，采用丝网印刷方式，在电池背面印刷锡膏，并采用250～400℃温度处理后，由于金属锡与硅不浸润，金属锡在减反射膜层打开的位置缩聚成一个一个的金属颗粒，从而形成局域等离激元结构。

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