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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种高铝含量Si-Al-C-O陶瓷先驱体及其合成方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117776185B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311803485.3，技术领域涉及：C01B32/907；该发明授权一种高铝含量Si-Al-C-O陶瓷先驱体及其合成方法和应用是由张晓山;苟燕子;王应德;邵长伟;王小宙;王兵;韩成;龙鑫设计研发完成，并于2023-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高铝含量Si-Al-C-O陶瓷先驱体及其合成方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开一种高铝含量Si‑Al‑C‑O陶瓷先驱体及其合成方法和应用，该高铝含量Si‑Al‑C‑O陶瓷先驱体软化点为120～250℃、数均分子量为2500～4000，铝含量为1～20wt％，其制备方法首先将聚硅氧烷树脂和铝源在溶剂中溶解；再将反应溶液转移至高压反应釜中，进行高温高压合成反应。在高温高压条件下，溶剂达到超临界状态，反应物各分子混合均匀，聚硅氧烷树脂分子和铝源分子充分反应。将反应后的溶液进行蒸馏处理，去除溶剂和小分子物质，得到陶瓷先驱体。本发明提供的制备方法所用的原料都为商业化试剂，来源广泛，先驱体合成路线简单，成本低廉。

本发明授权一种高铝含量Si-Al-C-O陶瓷先驱体及其合成方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种高铝含量Si-Al-C-O陶瓷先驱体，其特征在于，所述高铝含量Si-Al-C-O陶瓷先驱体软化点为120~250℃、数均分子量为2500~4000，铝含量为1~20wt%； 所述的高铝含量Si-Al-C-O陶瓷先驱体的合成方法，包括以下步骤： S1：称取聚硅氧烷树脂和第一溶剂，混合搅拌溶解，得到聚硅氧烷树脂溶液；所述聚硅氧烷树脂的数均分子量为2000~3500，软化点为50~150℃；所述第一溶剂为二甲苯、甲苯、苯、N’N二甲基甲酰胺、乙醇、四氢呋喃和正己烷的一种或几种；聚硅氧烷树脂与第一溶剂的质量比1~5:1~10； S2：称取铝源和第二溶剂，混合搅拌溶解，得到铝源溶液；所述第二溶剂为甲苯、苯、甲醇、乙醇和丙酮中的一种或几种；所述铝源为乙酰丙酮铝、甲基铝氧烷、二甲基氯化铝和三甲酸铝中的一种或几种；所述铝源与第二溶剂的质量比为0.1~5:1~10； S3：将聚硅氧烷树脂溶液和铝源溶液混合搅拌均匀后，加入高压反应釜中，在非活性气氛下进行高温、高压反应，反应温度：250~400℃，反应压力为1~7MPa，得到先驱体溶液；所述聚硅氧烷树脂和铝源质量比例为10:3~10:1； S4：在非活性气氛下，对所述先驱体溶液进行蒸馏，得到高铝含量Si-Al-C-O陶瓷先驱体。

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