中国科学院物理研究所周维亚获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利透明导电薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118241179B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410369168.3，技术领域涉及：C23C16/26；该发明授权透明导电薄膜的制备方法是由周维亚;岳盈;张迪;王艳春设计研发完成，并于2024-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本透明导电薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种透明导电薄膜的制备方法。其中上述方法包括：将设定面积的原始碳纳米管薄膜铺设在衬底表面，并置于生长腔体中；衬底与生长腔体中的气体发生表面重构，伴随着构成刻面的刻面原子的输运，形成刻面，刻面在介观尺度上表现为衬底表面上的规律的台阶状；使刻面与原始碳纳米管薄膜发生相互作用，从而去除原始碳纳米管薄膜中的杂质，原始碳纳米管薄膜中至少部分碳纳米管在刻面的驱动下发生位置移动，相邻的碳纳米管或管束倾向于紧靠，使原始碳纳米管薄膜中的碳纳米管网络重组得到重组碳纳米管薄膜。通过此方法得到的重组碳纳米管薄膜，其内部形成了更加高效的导电网络，同时也能够实现自支撑，并且还可以实现透明导电薄膜的大面积制备。
本发明授权透明导电薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种透明导电薄膜的制备方法，包括： 将设定面积的原始碳纳米管薄膜铺设在衬底表面，并置于生长腔体中； 通过加热使所述衬底与所述生长腔体中的气体发生表面重构，伴随着构成刻面的刻面原子的输运，形成所述刻面，所述刻面在介观尺度上表现为所述衬底表面上的规律的台阶状； 通过加热使所述刻面与所述原始碳纳米管薄膜发生相互作用，从而去除所述原始碳纳米管薄膜中的杂质，所述原始碳纳米管薄膜中至少部分碳纳米管在所述刻面的驱动下发生位置移动，相邻的所述碳纳米管或管束倾向于紧靠，使所述原始碳纳米管薄膜中的碳纳米管网络重组得到重组碳纳米管薄膜。
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